简介：

简介：<正>日前,由IBM、德州仪器、Infineon科技公司、AppliedMicroCircuits公司和xilinx公司组成的半导体制造商联盟公布了一项计划,宣布将共同开发新的标准,将芯片间的传输速率提高到每秒10GB(10Gbps)。该组织宣称,有必要建立统一标准的原因是,随着10Gbps数字式信号进入无线电射频领域,不建立统一的标准就会遭遇严重的信号衰减和信号干扰的挑战。

简介：11月12日到14日，2002国际、国内电信电缆产品材料设备展览会(WEMPEC)分别在上海的国际展览中心和光大会展中心举行，而酝酿已久的通信电缆及光纤光缆专家委员会也于同期在上海正式成立。

简介：下一代网络（NGN）是用来描述未来电信网使用的一个广泛的概念。NGN并不是一个新的专用词汇，一般泛指采用了比目前的网络更为先进的技术或能够提供更丰富业务的网络。NGN包含的内容非常广泛，并且随着技术与业务的发展，内涵不断扩大与改变。

简介：《电子信息产品污染控制管理办法》（简称《管理办法》）实施的三个重要配套行业标准：《电子信息产品中有毒有害物质的限量要求》（简称《限量要求》）、《电子信息产品污染控制标识要求》（简称《标识要求》）、《电子信息产品中有毒有害物质的检测方法》（简称《检测方法》）已经于2006年11月6日颁布。三个标准的标准号分别为：SJ／T11363-2006（《限量要求》）；SJ／T11364—2006（《标识要求》）；SJ／T11365-2006（《检测方法》）。

简介：在数字电视接收机方面，近期应主要发展与现行模拟电视兼容SDTV接收机。

简介：目前,我国对于各地城市信息化程度的数量分析通常采用九大统计指标(计算机、固定电话、移动电话、人均GDP、普通高校在校生数、人均电信业务总量、每万户互联网用户数、居民人均可支配收入、人均工业企业利润),其中,有四项指标与信息化计量并无直接关系.

简介：国家标准《低压开关设备和控制设备》比较适合UPS和EPS产品，本刊连载此标准，供读者学习用。

简介：10月24日．国家广电总局发布《移动多媒体广播第1部分：广播信道帧结构、信道编码和调制》一项广播电影电视行业标准。这项标准的颁布不仅对我国广播电视自身的发展具有重大而深远的意义．而且对推进国家信息化建设及实现广电、电信，计算机三网融合都具有重要意义。

简介：本刊已陆续发表了几篇有关应急电源(EPS)的文章，但目前尚无有关的国家标准，这里摘录刊出“消防应急灯具”标准，供有关读者参阅。

简介：为推动清洗行业进步,顺利完成ODS(消耗臭氧层物质)国际履约行动,中国洗净工程技术合作协会(以下简称"协会")于2003年抓紧进行的清洗行业标准编制工作已经取得了重大进展,在行业内引起极大反响.标准编制工作的顺利进行与协会秘书长孙良欣及其领导下的以王锡光为代表的专家们的努力和会员单位的鼎力相助是分不开的.

简介：前言阻塞和互调杂散响应衰落指标是CDMA系统中最重要的无线指标之一。在CWTSCDMA工作组第32次会议对我国的CDMA2000基站子系统测试行业规范进行讨论的过程中，CwrS针对我国频谱分布的实际情况，提出了对阻塞和互调杂散响应衰落指标的修改建议，并为此成立了专题项目组，在国家无委的指导和帮助下，

简介：1996年2月1日起,中华人民共和国邮电部、公安部以邮部联[1995]885号文的通知,颁布实行《邮电建筑防火设计标准(YD5002—94)》。这一标准是依照国家标准《建筑设计防火规范》、《高层民用建筑设计防火规范》的有关规定,结合邮电建筑的特殊功能和技术要求制定的,是对国家防火规范的引伸与补充。

简介：近日，信息产业部以“信部科（２０００）４５３号”文和“信部科（２０００）２８２号”文发布了“光波分复用系统（ＷＤＭ）技术要求－３２ｘ２．５Ｇｂ／Ｓ部分”、“同步数字体系（ＳＤＨ）上传送ＩＰ的ＬＡＰＳ技术要求”、“交换机ＩＳＤＮ用户接口在线测试功能”、“接入网技术要求－综合数字环路载波（ＩＤＬＣ）”和“接入网设备测试方法－带话音分离器的不对称数字用户线（ＡＤＳＬ）”等５项通信行业标准。现简要介绍如下：１．“光波分复用系统（ＷＤＭ）技术要求－３２ｘ２．５Ｇｂ／ｓ部分”标准的编号为ＹＤ／Ｔ１０６０—２０００。该标准规定了３２ｘ２．５Ｇｂ／ｓ的ＷＤＭ系统的技术要求，针对采用共享掺饵光纤放大器ＥＤＦＡ技术和光纤１５５０ｎｍ窗口的密集波分复用系统。它的目标是将来提供不同系统间的横向兼容性，目前则只能达到部分横向兼容目的。本标准给出的某些具体参数针对３２通路ＷＤＭ系统，如波长区划分、光接口参数等，本标准中有关光放大器和主光通道的参数适用于单方向使用增益范围为１９２．１ＴＨｚ－１９６．１ＴＨｚ的光放大器的ＷＤＭ系统。本标准规范的是点到点线性ＷＤＭ系统和在ＯＡＤＭ应用于线性结构的要求，不考虑ＯＡＤＭ设备在环网...

简介：

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。