简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：

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简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：超声波清洗的发展历史超声波技术起源于20世纪,在其发展过程中历经曲折,最终达到了今天的水平.

简介：本文指出了清洗工艺在集成电路制程中的重要性,详细介绍了目前广泛采用的几种清洗方法的清洗原理、特点、存在的问题以及发展的方向.

简介：摘要：近些年，矿选技术不断提高，各类矿选机械设备创新应用，比如新型的高效分选机械设备，使得金属矿选矿工艺得到极大提升。另外，浮选药剂分选技术等的应用也加快了选矿工艺革新。鉴于我国地质条件复杂，金属矿矿床的种类也相对较多，因此，选矿面临着贮存要求高和矿物品种繁杂的难点问题。不仅如此，大多数金属矿包含有大量的硫、二氧化硅等成分，导致金属矿选矿工作更加困难，同时采矿的效益也大大降低。选矿过程是一个至关重要的环节，本文深入分析研究了矿产选矿技术和工艺方法。

简介：本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等作了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

简介：本文对电镀工艺加工过程中的不同类型的清洗工艺技术进行了综述,介绍了化学除油、电解除油工艺的基本原理、水洗工艺方法及目前电镀生产中清洗技术的最新进展.

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。

简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等做了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

简介：本文章主要叙述目前替代ODS清洗剂的几种方法.其中乳化工艺清洗技术替代ODS清洗PCB组件是一种比较好的方法.本文着重对本公司在实施过程中的调研方案确定,清洗剂选择,以及"三防"试验工作,进行了探讨.

简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

简介：最近几年,许多美国工厂开始摒弃传统的溶剂清洗,转用水基清洗,以求尽可能减少可挥发性物质和有害物质向自然环境的排放量.尽管这一生产工艺的转变确实减少了有害物质的排放量,收到了巨大的环境效益;但是随之而来的能耗上升也不容忽视,并且能耗上升也是一个独特的污染问题.

简介：RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件，与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点，将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计，工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品，基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为：膜桥高度2um～3um、驱动电压〈30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB，样品参数性能达到了设计要求。

简介：在过去约10年来，SMT界的在线工艺检验技术发展的十分快，自动化检验设备如DAOI（自动光学监测）和AXI（自动X射线检测）技术蓬勃发展。到了最近几年来，更是扩展到锡膏印刷的检验上，也就是SPI（锡膏印刷检测）技术。监测技术的应用，并不能带给产品附加值，也就是说一个产品的制造质量，并不会因为经过检验而更加好。那为什么业界对检验技术如此的依赖呢？原因就在于目前许多制造技术以及质控技术，并未能达到客户对产品质量要求的水平。

简介：LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

简介：采用DOE（实验设计）方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。