简介：氢同位素研究中，D／H比值是掌握氢同位素丰度变化规律的关键参数，但是低于天然氘丰度（1．4×10^-4）的气体没有成熟的测量技术可以应用，为此，开展了低于天然D丰度氢样品（以下简称贫氘氢）的色谱测量技术研究。

简介：惠斯通电桥的灵敏度是影响其测量精确度的一个重要因素。为了分析影响惠斯通电桥灵敏度的因素,推导了惠斯通电桥灵敏度的公式,对惠斯通电桥的灵敏度进行实验研究。利用惠斯通电桥灵敏度的实验,从电源电压E、电源内阻rE和限流电阻RE、检流计灵敏度、检流计内阻RE和限流保护电阻R保护、检流计和电源接入线路的位置、RE′和桥路两端等效电阻RCD的关系、桥臂电阻之和R1＋R2＋R3＋R4和对应臂电阻之比R1/R2、R3/R4等几个方面探讨分析了影响电桥灵敏度的各个因素,得出电桥灵敏度和各因素之间的关系,从而找出提高惠斯通电桥灵敏度的方法。

简介：高功率固体激光装置中使用的部分大口径光学元件的需求精度已接近或超过了干涉仪检测极限，因而对大口径干涉检测的测量不确定度提出了更高的要求。针对大口径光学元件面形的检测准确性问题，对干涉检测的测量不确定度开展了研究，包括如下几个方面：

简介：研究表明，当激光片表面上存在污染粒子时，氙灯辐照是引起片损坏的主要原因。因为高强度的氙灯辐照能够熔化和分解污染物粒子气溶胶，气溶胶附着在片表面上，吸收热量后形成局部区域的热梯度并降低激光介质的抗热冲击性能，它们共同作用导致了片表面的破裂。

简介：针对工科大学物理实验中不确定度教学过程中出现的难点进行分析讨论,规范不确定度分析处理模式,介绍教学中的具体做法.

简介：用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明，水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜，沉积温度相同而退火温度不同，则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时，薄膜为纯金红石薄膜。更多还原

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：X光穿透物质时符合指数衰减规律，原则上，给定闪光照相光源能谱以及照相物质已知的情况下，可以计算出透射X光的照射量，但事实上X光光源能谱测量十分困难，因此，实际上照射量的计算无法实现。所谓的“等效单能模型”就是将上述全能谱照射量等效成某一“单能”的照射量，在实际实验测量中经常需要的物理量是数种材料等效质量吸收系数的比值，称之为相对质量吸收系数，一般情况下，

简介：通过对TATB基复合炸药中TATB的改性，探索降低装药冲击片起爆阈值的可能性。主要通过进一步细化TATB炸药，增加其比表面积，提高装药的冲击片起爆感度。制备了3组TATB为纳米网格状态的复合始发药（装药密度为1．73～1．74g／cm^3），装配成冲击片雷管，采用感度升降法测试这几组状态始发药的冲击片雷管起爆阈值，通过与相同组分的亚微米TATB复合始发药起爆阈值进行对比，考察纳米网格TATB复合始发药对冲击片雷管起爆感度的影响。

简介：为了解决在狭窄、深长，且处于目视盲区的装配空间内反应罐精密止口的对接装配难题，设计了幅度可控的六自由度浮动装配台，可在狭长盲视空间中以手动和自适应方式实现精密止口柔顺对接装配。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：宽频带高灵敏度检波器广泛地用现代微波系统，主要用于功率监视、源稳幅、传输和反射测量等。文中首先完成了检测系统的建立及检波器主要技术参数的定义和检测分析；然后重点对检波器在调制脉冲状态下的平方律响应及输出脉冲幅度的影响因素进行分析论述；最后进行了不确定度分析。

简介：本文介绍了不确定的有关概念、名词术语，给出了不确定度A类分量、B类分量和展伸不确定度的表达式。说明了不确定度在高校实验教学中的应用，列举了不确定度在实验中应用实例。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。

简介：现代教育要求我们要重视课堂教学的最优化，培养学生的整体素质（发散思维能力、创新能力、解题能力、探究能力等）。因此，我们应针对不同的课堂采取不同的教学方法．笔者在《欧姆定律的应用》一节习题课教学时候遇到的问题及相应解决的办法，今拿出来供大家商榷．

简介：主要讨论当运输平台的行进速度较小时,即在不可压缩流条件下,冲压过滤装置的取样流量。从机械能守恒原理和过滤装置的压阻与空气流速的关系出发,推导了冲压过滤装置取样流量的计算公式。对过滤装置压阻和流速关系进行了实验测试,并对该装置取样流量进行了风洞测试。结果表明:计算得到的取样流量与风洞实测结果在10%范围内符合。最后讨论了运输平台行进速度和取样高度对取样流量的影响。

简介：针对高功率微波引导磁场的实际情况,根据线性规划算法,设计了一种新颖的分段式高均匀度螺线管。这种螺线管设计以电流密度为变量,以磁场均匀度为约束条件,以磁体总体积为目标函数,利用MATLAB计算可行域内的电流密度值,将可行域的最大值作为线圈电流存在的区域,通过复杂形状的骨架加工及线缆缠绕而制成。通过分析比较常规螺线管和新设计螺线管的电学参数和磁场位形分布,认为在中心磁场强度大小相等和其他因素相同的条件下,新设计的螺线管磁场轴向不均匀度从9.8%降低至0.68%,这种利用线性规划算法设计的分段式螺线管磁体通过改进绕线工艺和机械结构可以实现高均匀度,并具有很强的推广性。

简介：现代电子电路受到诸如HEMP、UWB-EMP、HPM和SGEMP辐射时，轻则引起电路的瞬时扰动，严重时导致系统功能完全失效。本文研究了同一单片机电路在HEMP、HPM和UWB-EMP辐射下的灵敏度。

简介：介绍了惠斯通电桥测电阻的原理,给出了电桥灵敏度的定义和公式。利用电桥测量了未知电阻的阻值和电桥灵敏度,用实验分析和验证了影响电桥灵敏度的因素。