简介:1.导言有机金属(OM)是导电聚合体的一种先进的形式,虽然呈有机化合物的特征,但是具有金属的属性;此材料由碳、氢、氮、氧以及硫酸盐组成,经过人工合成并以10纳米大小的原始颗粒进行水溶性分散【1】。多年前的研究就发现该材料能非常有效地防止铜的氧化【2】。10多年来,此材料作为电路板表面处理沉锡制程ORMECON?CSN的预浸被商业应用。在该制程中,有机金属在沉锡前
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。