简介:摘要目的探讨脑外科PICC置管患者输注甘露醇前后使用金黄膏的效果。方法选取2014年1月-2015年8月收治于上海市宝山中西医结合医院脑外科行PICC置管术患者70列,随机分为实验组34例和对照组36例。实验组给予PICC置管术后输注甘露醇前后用20ml生理盐水脉冲式冲封管和给予置管部位上方5cm处敷金黄膏纱布;对照组给予PICC置管术后输注甘露醇前后用20ml生理盐水脉冲式冲封管。观察并记录实验组和对照组患者的静脉炎发生情况。结果实验组34名患者中,发生静脉炎的有2名,构成比5.9%;而对照组36名患者中,发生静脉炎的有6名,构成比16.7%。实验组静脉炎的发生率明显低于对照组(P<0.05),两者差别具有统计学意义。结论脑外科PICC置管患者输注甘露醇前后使用金黄膏,可降低静脉炎的发生率,减少并发症发生的危险性。
简介:目的探讨乳腺癌术后患者经外周置入中心静脉导管(PICC,PeripherallyInsertedCentralCatheters)后发生静脉血栓的原因及护理对策.方法采用回顾性分析的方法,对254例乳腺癌术后患者行PICC置管后发生18例上肢静脉血栓(UpperExtremityVenousThrombosis,UEVT)的原因进行分析并提出相应的护理对策.结果经治疗及相应的护理干预后,16例上肢静脉血栓患者经彩超检查血栓完全消失,无需拔管,2例经保守治疗无效予以拔除PICC管,均未发生肺栓塞.结论乳腺癌术后患者行PICC化疗过程中上肢静脉血栓的形成与PICC管直接相关,也与乳腺癌本身有无转移、药物治疗及患者活动度有关,采取有效的护理措施可防止UEVT的发生.
简介:为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.