简介：等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。

简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比（多量子阱）。我们发现，GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时，5×1017cm-3，2×1018cm-3，4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度（量子阱）。然而，当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3，晶体质量下降，从而导致外量子效率的降低（EQE），短路电流和开路电压。作为一个结果，一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

简介：日前,我国首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司正式下线。消息传来,引起业内高度关注,有专家指出,该设备的研制成功和下线,填补了光伏电池高端设备国产化的空

简介：<正>麻省理工学院(MIT)研究人员已经研制出一种新技术,可通过一台特制喷墨打印机将薄膜太阳能电池印刷到纸张上。如果能进一步提高效能,这项新进展有望为太阳能面板的生产和安装带来变革。

简介：四川长虹公告称，该公司旗下的等离子（PDP）显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成，2009年1月进入批量试产，计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响，四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示，四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后，两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司（下“四川虹欧”）增资共4亿元，目前四川虹欧的注册资本约为3．5亿美元、实收资本为2．75亿美元，四川长虹控股50．94％。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束，已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：

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简介：位于南京的专业太阳能电池制造企业中电光伏ChinaSunergy公司于1月28日在南京总部隆重举行中电光伏2010客户答谢年会暨高效电池技术推介会。本次会议的主题是高效太阳能电池的趋势及应用。

简介：摘要本技术方案为一种纯电动客车充电加热时的低压蓄电池充电电路，包括第一接触器、第二接触器、第一切换继电器及第二切换继电器，所述第一接触器、第二接触器、第一切换继电器及第二切换继电器与电动客车本身自带的高压配电柜、动力电池、DC/DC充电机以及充电插头相连构成电池充电电路。该电路性能可靠，使用方便，能够在动力电池加热的同时，让DC/DC小充电机工作为低压蓄电池充电，确保电池加热时低压蓄电池也不会亏电，提高了电动客车的充电利用率，避免了因动力电池温度过低带来的充电安全隐患问题。

简介：

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：<正>日本综研化学与神户大学教授森敦纪共同开发出了用于有机太阳能电池和有机FET等的有机类p型半导体材料P3HT的新合成方法。今后,将推进开发量产化技术。据双方介绍,该合成法还可用于开发P3HT以外的有机半导体高分子材料。原来的做法一直采用Dihalogen体作为起始原料合成P3HT,所以需要在低