简介:在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点
简介:在工业大功率应用领域已经推出了多种类型(对称,非对称以及逆向导通)的门极换流晶闸管(GCT)器件,为了用它来实现更高性能、更加合适的系统,人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究,本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。
简介:阐述了直接转矩控制系统的发明和发展,指出其控制原理和方案的特点,特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后,对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较,指出各自的优缺点和发展方向。
简介:应用于EV/HFV(电动汽车和混合电动汽车)转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型(6-pack)IGBT模块。采取的创新措施有:采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3(氧化铝),而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4(氮化硅);开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。
简介:介绍了IPcamera监控系统和IPCamera的构成和智原科技最新推出MPEG4编解码SoC器件FIC812060主要特点。给出了基于FIC8120芯片的IPCamera解方案方案。
简介:日前,VishayIntertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。
简介:自动化与驱动领域著名跨国品牌欧姆龙习前宣布,隆重推出SYSDRIVE3G3MZ系列高功能紧凑型矢量控制变频器。这款产品属于欧姆龙最新推出的“黑珍珠”新品系列之一。其先进的矢量控制技术、丰富的高附加功能、人性化的设计以及为OEM客户量身订做的服务在业界引起极大反响。
简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。
为高效高可靠开关优化的一种成熟的1200V SiC JFET技术
由紧凑型高dI/dt门极驱动单元驱动的新型对称门极换流晶闸管
高动态性能交流调速系统的发展与演变(Ⅱ)按定子磁链控制的直接转矩控制系统
采用高热导率技术实现电动汽车和混合电动汽车用的高功率密度IGBT模块
基于智原科技高集成MPEG4编解码芯片FIC8120的IP Camera解决方案
Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关
欧姆龙3G3MZ新一代高功能紧凑型变频器闪亮登场
用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管