简介：光刻胶剖面形貌和关键尺寸（CD）是光刻工艺的关键参数，而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响，尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶SwingCurve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响，分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌；二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。

简介：摘要半导体技术是现代重要的一项技术，在包括手机、电脑等重要的设备制作中，都离不开半导体技术来发挥作用。针对半导体技术的应用，需要做好工艺测试，才能够确保技术的效果发挥。本文将结合现阶段半导体工艺测试设备的实际应用情况，展开系统性分析。

简介：摘要企业财务管理的水平直接影响了企业的发展状况，良好的财务管理制度有助于推动企业健康发展，提升企业发展的整体水平。当前，随着科学技术的不断发展，大数据时代已经来临，计算机网络逐渐深入到人们生活的方方面面，在企业财务管理中，也应当做好分析和研究，积极利用大数据时代的优势和特点，优化财务管理工作，促进财务管理更加科学化和规范化。本文就大数据背景下财务管理工作方面的内容进行分析和研究，并提出一系列有效的财务管理对策。

简介：为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性，在芯片安装后，通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而，仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点，人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。

简介：针对军工企业工艺信息系统的特殊要求，提出了面向外协的工艺信息管理系统，构建了该系统的框架，定义了扩散工艺核心模型以及标准化的工艺卡片模型，并研究了工艺卡片模板的定制技术和生成技术，能够辅助完成整个外协件的工艺管理。

简介：本文介绍电子元件的清洗工艺与非耗臭氧清洗材料的选择,以便达到保护臭氧层的目的.

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：作为一种传统焊接技术，目前波峰焊依然在电子制造领域发挥着积极作用。本文介绍了波峰焊接技术的原理，以及一种新型波峰焊接技术的特点，与传统波峰焊情况不同，它可以保护表面贴装元件来实现对通孔元件焊接。最后本文分别从焊接前的质量控制、生产工艺材料及工艺参数这三个方面探讨了提高波峰焊质量的有效方法。

简介：塑封集成电路在高可靠性领域应用越来越广泛，国内已有相当数量的塑封集成电路应用于国防领域。但是，目前大部分关键塑封集成电路依赖进口，采购渠道不是很通畅，市场中存在大量的翻新件。文章基于塑封集成电路封装工艺，简要介绍如何识别翻新塑封集成电路。

简介：本文介绍了在非常紧凑的短脚电子元件间隙内,利用水清洗技术来实施有效清洗操作的经验.

简介：在走向无铅化的道路上，为了能够满足倒装芯片和晶圆级封装、SMT以及波峰焊接的需要，要求对各种各样的材料和工艺方案进行研究。为了能够满足电路板上的倒装芯片和芯片规模封装技术，需要采用合适的工艺技术和材料。采用模板印刷和电镀晶圆凸点工艺，可以实现这一目标。

简介：

简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重

简介：LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是，在某些半导体材料的PN结中，载流子在电势差作用下循环往复地移动，当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量，从而把电能转换为光能。LED用于节能照明，它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源，相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光，这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。

简介：　　1前言　　所谓0.4～0.5μm时代,就DRAM而言,恰处于从64M到256M的过渡阶段.长期以来,DRAM被誉为半导体技术的"技术驱动器".　　……

简介：Soitec董事长兼首席执行官近日透露,苹果iPhone6s已经在SOI(绝缘体上硅)的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频(RF)芯片。与此同时,Intel和IBM正使用SOI工艺推动硅光子发展。虽然SOI工艺成功之路历经坎坷,但目前已步入向主要市场渗透的正轨。格罗方德高级副总裁兼总经理RutgerWijburg甚至声称FD-SOI(全耗尽绝缘硅)在四年内的销售量将超过FinFETs。

简介：文章通过总结众多相关文献的研究成果和实际引线键合工艺中的经验心得，为读者呈现较全面的有关引线键合的介绍，包括键合时序、机台动作、关键键合参数、键合材料特性、键合工具的设计、键合机理等方面。在对一些常见的工艺问题（如不烧球、高尔夫焊点、短线尾、焊点不粘等）分析的基础上，讨论其解决方案和最近研究进展；同时也关注了铜引线键合技术发展中存在的一些问题。由于作者能力及文章篇幅的限制，仅对关键工艺及因素进行了探讨，希望能帮助读者深入了解引线键合工艺，并对实际工艺问题的解决和键合理论机理的研究有所益处。

简介：摘要伴随着现代社会的不断发展与提升，各工厂在机械的设计与制造当中所使用的自动化控制已经成为了较为普遍且不可缺少的一项重要科学技术。伴随着自动化技术的诞生，不仅为机械设计制造生产带来了快捷、便利的技术，还为机械生产的发展起到帮助作用。

简介：摘要强化型铝合金在室温下具有良好的力学性能，近年来随着制造技术的不断进步，强化型铝合金在工业领域中的运用越来越广泛，对其的焊接也成为研究重点。电子束焊具有穿透能力强、焊缝深宽比大、热影响区以及焊接变形小等优点，适合于高铝合金的焊接。本文对6mm厚的强化型铝合金在电子束焊不同工艺参数下所获接头进行力学性能测试、金相组织观察，结合接头的拉伸性能、冲击性能以及金相组织，研究电子束焊接工艺参数变化对焊接接头质量的影响，达到优化电子束焊接工艺的目的，从而获得具有优良力学性能的焊接接头，进而满足实际工程结构对力学性能的高要求。

简介：