简介：文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试／打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构，以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题；同时，在生产流程中引入外观检验工位，对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验，很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明，该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点，客户使用后反映良好。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：本文主要介绍了水基清洗技术在彩管成型荫罩黑化前清洗中的应用.介绍了水基清洗技术的清洗原理、工艺特点,以及对水基清洗剂的一般要求及实际使用中的注意事项.

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路，采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题，并且可以利用齐纳管来稳定输出电压.Spice仿真结果显示，五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单，与标准CMOS工艺兼容，具有较高的应用价值和经济价值，

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：

简介：按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。

简介：摘要：中国的跨国公司在当前经济全球化趋势下的角色越来越重要，已经成为了推动全球经济一体化的核心力量。而人民币汇率波动是我国跨国公司在其跨地区生产经营活动中所面临的最频繁也是最直接的风险，因此汇率风险的防范一直是跨国公司在其国际化运营中风险管理的一个重要方面。本文主要阐述跨国公司汇率风险管理现状，指出我国跨国企业在该方面存在的不足，并对我国企业汇率风险的规避提供一些建议，从长期和短期两方面分别阐述相关对策。

简介：2001年2月21日,国家环保总局对外经济合作领导小组办公室(甲方)与重庆川仪一厂(乙方)正式签署了ODS清洗剂消费淘汰合同书。我方作为2000年度签署合同的16家企业之一,经过两年的努力,现已完成合同书中规定的全部工作任务。三条生产线已投入正常运行,不仅解决了ODS清洗剂的替代问题,

简介：摘要本篇文章通过对火力发电厂锅炉四管的无损检测技术分类的介绍，研究分析出无损检测技术对减少锅炉四管爆裂现象发生的意义，同时还讨论了无损检测技术在火力发电厂锅炉四管检验中的应用。为了严格管理火力发电厂对锅炉四管的检测工作，减少火力发电厂锅炉发生出现意外情况的发生，相关单位还需加强对无损检测技术的应用工作。科学的使用无损检测技术，才能更好的保障火力发电厂锅炉生产过程中的安全以及火力发电厂发电工作的是顺利进行，更好的促进火力发电厂的经济发展。