简介:<正>三菱电气公司的一种可高频工作且性能先进的收发开关将为5GHz无线局域网提供频率保障。该公司创造了一种新的晶体管结构,并将这些晶体管用于串联和并联开关电路。这些晶体管采用硅CMOS工艺,以使它们适应高频工作。工程技术人员采用0.18μm工艺制作出耗尽层延伸晶体管(DET),再把这些器件用于串联和并联开关电路。所做出的开关的插损为1.4dB,5GHz下插入发射损耗为28%,隔离25dB,信号泄漏0.3%,最大容许功率11.2dBm,约13mW。比较而言,5GHz局域网要求的插损低于1.5dB,隔离20dB以上。与GaAs产品不一样,Si集成电路的成本低,工程技术人员制造Si高频集成电路所用的成本只有GaAs集成电路成本的一半。为了改善性能,他们将采用最佳电路设计。松下公司将在2~3年内开发5GHz带宽单芯片高频集成电路并推向市场,其中包括高频收发开关。
简介:摘要结合当前的移动通信工程的发展情况,探讨了通信工程中的4G-LTE通信网络架构的情况,结合指挥控制系统移动通信专网进行举例说明,探讨了4G-LTE技术在移动通信工程中的应用的有效性,希望对今后的移动通信技术发展有所帮助。