简介：本文分析了勘探与生产技术数据管理系统（A1系统）存在的主要问题，通过对西南油气田目前勘探开发数据业务中两个典型建设案例“勘探开发成果数据采集系统”和“勘探开发项目研究环境建设”技术架构的剖析，阐述其关键技术，针对性地提出如何应用现有的IT技术解决目前西南油气田数据资源建设和数据应用中存在的瓶颈问题。

简介：从可用性、维护性以及优化性方面探讨数据库分区机制，详细论述分区索引的内部原理，并结合工程项目中的具体实践应用，分析了分区优化技术在性能和可用性方面发挥的重要作用，对海量数据库管理、性能优化提供一种有效的解决方案。

简介：安捷伦科技和Zollner集团近日宣布，全球电子制造服务提供商Zollner为增强集团的测试和检验能力，已选择了AgilentMedalistx6000自动x射线检测（AXI）系统。作为已拥有AgilentMedalist5DXAXI解决方案的用户，Zollner是欧洲地区新x6000AXI解决方案的最早采用者之一。

简介：

简介：38所坐落于安徽省合肥市．对外称“华东电子工程研究所”．主要从事雷达及电子系统工程方面的研究、开发和集成，是中国电子科技集团公司的骨干研究所．现有员工近2000名，平均年龄34岁。

简介：

简介：中国电子科技集团公司第五十一研究所成立于1978年，是军工一类整机研究所，是一个以科研为主，科研、生产、经营一体化的高新技术研究所。本所长期从事雷达对抗系统及设备的研发和制造，为我军和国防建设提供了大量的现代化电子战装备。

简介：中国电子科技集团公司第五十一研究所成立于1978年，是军工一类整机研究所，是一个以科研为主，科研、生产、经营一体化的高新技术研究所。本所长期从事雷达对抗系统及设备的研发和制造，为我军和国防建设提供了大量的现代化电子战装备。

简介：摘要船舶舾装件种类多，且琐碎，如果每个小部件安装时出现偏差，会导致整体组装后偏差加大，甚至会影响其使用。所以，控制好每一部分舾装件检验结果是很必要并关键的一个步骤。本文以部分舾装件为例给出具体检验要求，为船舶最后大合拢之后顺利交船奠定基础。

简介：

简介：光纤F-P滤波器在通信及传感等领域具有重要作用,文章对光纤多腔F-P滤波器的结构和性能进行了分析,主要讨论了级联F-P腔对光纤F-P滤波器性能的改善作用.

简介：分组增强型光传送网（P-OTN）兼具分组传送网（PTN）和光传送网（OTN）的优点,是下一代光传送网的理想选择。三次握手信令协议（3WHS）是业界最先进的分布式连接建立机制,通过3次消息过程实现网络中连接的快速建立;同时,通过额外预留网络资源,有效解决＂后向阻塞＂问题。在P-OTN网络中,通过采用3WHS信令协议技术,结合路径计算单元（PCE）技术,能够实现网络资源的快速智能调度。

简介：首先介绍了时变CIC滤波器的原理，然后给出了降低硬件实现复杂性的等效变换方法，同时分析了该采样率转换器的转换精度及参数选取对滤波器性能的影响。最后，通过Quartus软件仿真和应用实例，验证了该方法的有效性。

简介：摘要音乐美学同一般美学、音乐技术理论、音乐史学、音乐评论等都有密切的内在联系，而且音乐美学这门学科的发展和深化，往往离不开从上述这些领域的成果中吸取营养。中西方音乐地域、民族以及时代存在着差异，使中国音乐美学与西方音乐美学之间也存在着差异。本文通过介绍中西方美学的本质以及从多个方面阐述中西方的差异对中西方美学的观点进行比较。

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：发展大数据是促进政务信息资源开发利用的必然要求，是提高政府决策科学化水平的必然要求，是提高城市管理精细化水平的必然要求，是促进现代服务业发展的必然要求。

简介：中国电子科技集团第四十三所组建于1968年，是我国最早从事微电子技术研究的国家一类研究所，也是我国专业设置最为齐全的混合集成电路专业所。主要从事厚膜、薄膜混合集成技术（HIC）、多芯片组件技术以及相关材料、电路及专用设备的研究和制造。

简介：作为读者,您可能对本刊前几期的人物栏目印象特别深刻,因为他们代表了上世纪80年代崛起于中国南方、目前仍在我国超声波清洗设备生产领域处于领先地位的领军人物。为社会创造的财富证明了企业家们的成功,而今天我们向您介绍的这位科学家却凭借其对超声波事业的热爱,一直在倾毕生心血推

简介：摘要近几年来，我国以生产电子衡器为主的厂家已经多达数百家，主要是生产非自动衡器。以前我国在生产电子衡器的过程中主要是引进生产技术，到现在我国已经逐渐迈入了自行设计和生产电子衡器的时期，而且在生产称重显示控制器的领域中已经有了很大的突破和进展。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.