简介：O438．12005021186利用菲涅尔波带法计算三维全息=StudyofCGHfor3DimageusingFresnelzone[刊,中]／张晓洁(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027)),刘旭…//光电工程．-2004,31(12)．-58-60,67根据全息理论,从点光源菲涅尔全息图的计算出发,提出一种利用主菲涅尔波带计算三维物体菲涅尔全息图的方法。通过读取3DS文件直接获得三维物体表面各点

简介：DGS（DefectedGroundStructure)结构是在金属地平面上蚀刻周期性或非周期性的各种栅格形状而形成的非理想地平面结构，它是光子带间隙结构(PBG)的一种发展形式，其效应可用LC谐振等效电路来表示。DGS结构可被广泛应用于谐振器、振荡器、滤波器、耦合器、分配／合成网络、天线、功率放大器等中，以实现常规技术无法得到的高性能。这种结构的等效电路是并联的电感和电容。

简介：TQ5942005053594电子俘获光存储材料的最新研究进展=Thelatestdevel-opmentofelectrontrappingmaterials[刊,中]／王欣姿(北京交通大学光电子技术研究所．北京(100044)),王永生…∥光电子技术与信息．-2005,18(2)．-6-10分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。图2参20(严寒)

简介：O438．12005053582二元计算全息图两种制作算法的研究=Studyontwokindsofbinarycomputergeneratedhologramproductionalgorithms[刊,中]／盛兆玄(第二炮兵工程学院物理教研室．陕西,西安(710025)),王红霞…∥光电子技术与信息．-2005,18(1)．-54-56提出基于MATLAB实现计算全息图制作的两种方法,并作了分析比较。对陈家祯等人提出的方法做了两点改进。用这两种方法制出的计算全息图在PC机显示器上进行模拟再现,取得了良好的效果。实验表明两种方法各有优点,用MATLAB绘制计算全息图比传统语言的编程算法更加简单方便。图4参5(杨妹清)

简介：O4382005021197FDTD方法对固体浸没透镜的光场分析=AnalysisoftheopticalfieldofsolidimmersionlensbyFDTD[刊,中]／张东玲(河南大学物理与信息光电子学院．河南,开封(475001)),白永林…//光子学报．-2004,33(7).-884-888采用二维时域有限差分(2D-FDTD)方法研究了高斯光束通过固体浸没透镜(SIL)的光场分布特性。模拟结果

简介：纳米尺寸电子系统的研究与单电子库仑阻挡（COULOMBBLOCKADE）结构，单电子三极管，分子开关的实现和应用有着十分密切的关系．近年来关于纳米系统电流传输性质的研究引起了越来越多的关注．曾经普遍应用的LANDAU-DFT方法计算出的电流与实验结果相差几个量级，

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：2013年光器件和模块的市场报告数据有喜也有忧。一些市场板块2013年几乎翻番，但是别的板块减少了三分之一。

简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：O463.196021393电磁聚焦成象系统中曲轴宽电子束聚焦的象差理论=Aberrationtheoryforwideelectronbeamfocusinghavingcurvilinealoptialaxisinelectro—staticandmagneticimagingsystems[刊,中]/金伟其,周立伟,倪国强(北京理工大学工程光学系。北京(100081))∥北京理工大学学报。—1995,15

简介：人类对基本粒子的认识可以追溯到2400多年前，从古希腊的“原子论”到近代道尔顿的“新原子论”，都认为原子是构成物质的最小单位，是永恒不变且不可分割的．然而，1897年英国物理学家约瑟夫·汤姆生却发现了比原子更小的单位——电子，这一伟大发现，打开了人类通往原子科学的大门，标志着人类对物质结构的认识进人了一个新的阶段．

简介：目的：吸力式基础具有投资费用低、施工时间短、无噪音和可重复使用等优点，因此被广泛应用在海洋工程领域。本文针对吸力式基础设计中的关键问题，主要综述现有设计理论，指出理论缺陷，并给出设计建议。创新点：综述砂土、粘土和成层土中吸力式基础的安装、回收、基础承载力、基础沉降和服役性能中的关键科学问题和现有设计理论。方法：1．基于文献报道的现场试验和模型试验，针对吸力式基础安装过程中的沉贯阻力、临界吸力和土塞效应，评估现有设计理论的准确性；2．分析粘土和砂土中吸力式基础的完全排水、完全不排水和部分排水条件下静力和循环承载力计算理论；3．针对吸力式基础的长期服役性能，分析荷载引起的基础变形、固结沉降、循环再固结沉降和极端荷载下的“棘轮效应”。结论：1．现有的吸力式基础安装中沉贯阻力计算理论没有普适性；对于临界吸力的计算，由于没有考虑“土拱效应”，理论计算值均低估了安装吸力。2．对于粘土中吸力式基础承载力的计算需要考虑循环作用下土体的强度弱化和基础一土间空隙引起的承载力降低，而砂土中基础承载力计算需要考虑排水条件的影响。3．对于吸力式基础的长期服役性能，特别是基础变形的计算，目前还缺少成熟的计算理论。

简介：美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料,这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础,莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼,因其检测光的特性而被广泛研究,但是铜铟硒化物（CIS）也表现出同样非凡的潜力。莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延（PulickelAjayan）实验室的研究生雷思东（SidongLei）合成了CIS,一种单层铜、铟和硒原子矩阵。

简介：本文介绍了近十年来国际高科技前沿——自由电子激光的发展概况，基本原理和应用前景。

简介：此文系AAPT的实验委员会(主席为GeraldTaylor)与仪器组、二年制学院组及大学物理组等联合撰写的，并在1997年10月被AAPT执行委员会所采用。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

简介：TN2092003053778多光子技术及其应用研究进展=Progressinmulti-photonexcitationanditsapplication[刊,中]//徐慧(清华大学物理系.北京(100084)),张春阳…//分析科学学报.-2002,18(5).-424-428综述了多光子技术的基本原理及其在生命科学、化学、物理和材料科学领域的应用研究进展。参50(张志升)TN2092003053779光电子技术及其进展=Optoelectronictechnologyandits

简介：开展了扫描控制工艺研究，找到了扫描稳定性控制工艺的基本要素，从膜料预熔、挡板打开前的预扫描、挡板打开后的扫描几个方面进行优化，改进了扫描工艺，有效提高了镀膜蒸发的稳定性。