简介：本文介绍功率电子技术（Powerelectronics或称电力电子技术）与微电子技术的区别和‘功率电子学科’的形成与发展讨论功率电子定义、技术覆盖范凰分析功率电子学科与电气工程学科的三个主要子学科内容的关联。分忻功率电子系统运行特点；明确功率电子学科基本理论为：功率电子‘元器件、电路与系统’理论。

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：

简介：随着人们绿色节能意识的提高，电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起，同时也推动了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率半导体等产品的应用变得愈来愈普及。这是导致去年下半年以来市场上出现MOS—FET等功率半导体供货紧张的重要原因之一。相关消息显示，当前市场上的MOSFET缺货潮已经延续超过半年之久，随之出现的则是涨价与交期延长。不过这种情况的出现，对于我国功率半导体行业来说又是一个难得的发展机遇，不应轻易放过。

简介：在线性调频(LFM)信号数字脉压中,采用不同的数字脉压处理方法对脉压结果会有不同的影响.本文经理论分析和仿真验证,比较了数字脉压匹配滤波和去斜率两种方法的脉压性能.在这两种方法中,采样率、目标回波信号时延和目标多普勒频率的变化对数字脉压结果都有一定的影响,并且目标回波信号时延和目标多普勒频率之间有一定的对应关系.仿真试验结果为在工程应用中选择合适的数字脉压处理方法提供了依据.

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：发光二极管（LED）是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件，具有一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍，重点论述了封装的关键技术，包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术，最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。

简介：

简介：卫三民博士是代表他的导师吴斌教授在大会上做报告的。他报告的内容是对目前Mw级的变频调速技术进行综合分析。

简介：IGBT驱动模块对IGBT的功耗和可靠性会产生重要影响，对大功率IGBT驱动模块的技术特点作了详细的分析，列出了设计的关键点，并介绍了大功率IGBT驱动模块的技术发展趋势。

简介：随着高功率微波武器的不断发展，防护技术逐渐引起各国的高度重视。分析了高功率微波武器对雷达的毁伤途径和效果，研究了雷达防护高功率微波武器的加固方法，提出了战场防护建议。

简介：澳大利亚的HALCRO公司以生产失真接近于零的dm系列功率放大器而闻名。最新推出的dm88功率放大器是其以前功率放大器的后继机种，从外观上看，dm88沿用了din68的塔式设计，且变化不大；但从内里来看，dm88的元器件布局及选料都不同于dm68，几乎是完全重新设计开发的。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

简介：

简介：本文有比较地研究了线键合和区域焊接两种功率芯片互连技术的生产过程、电性能、热处理和可靠性,指出了功率芯片互连技术中线键合和区域焊接技术的优点和缺点.

简介：本文介绍了SDH微波电路中采用的自动发信功率控制（ATPC）技术的工作原理及其控制过程。

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：介绍了一种超宽带中功率微波功率模块（MPM）的设计方法，主要内容包括MPM的系统构成和系统集成设计，重点阐述了前级固态驱动放大器以及后级行波管放大器外围集成电源的设计方法，针对MPM要求的小体积、高功率密度带来的散热问题作了细致的分析，提出了工程设计中的解决方法，并以此为基础，研制出了一种较为通用的100W／6—18GHz微波功率模块。