简介：N7610／6670手机界面故障率较高，约占整个维修量的80％，如不识卡、无显示、不能拍照等。为了快速排除这些界面故障，笔者对日常的维修记录做了整理，供大家参考。

简介：

简介：随着IC器件等集成度的提高,其I/O数迅速由300上升到1000以上(1521产品已商品化),2000年可2500左右。表面安装技术(SMT)也由OFP迅速走向BGA,并进而把SMT推向芯片级封装(CSP或MCP)。因此,剧烈要求PCB有更高密度相适应,以把高密度元件用先进封装技术安装到PCB上来实现电子产品“轻、薄、短、小”化和多功能化目标。芯片级封装密度的PCB欲完全按目前常规PCB生产技术(含条件)来实现是困难的。因而推动了PCB生产技术的进步与变革。90年代以来,日本首先开发成功各种高密度型印制板(如SLC、B~2it和各公司自命名的牌号),我们把它们归类为集层法多层板(BUMB,Build-upMultilayerBoard)。这一类型PCB是在常规高密度PCB(如双面板、各种多层,像埋盲孔,甚至基板)上的一面(N+a)或双面(a+N+b)用各种集(增)层方法增加1-4层(今后会更多)来形成外表面很高密度的印制板,其密度可在SMT到CSP封装上使用。由于投资少,便可明显提高PCB性能价格比,因而引起全世界PCB业界的注目、研究和生产。由于BUM板首先在日本开发和应用,因而发展尤为迅猛,按JPCA统计(不含MCM—L和C),1996年BUM产值为80亿日元,1997年猛增到215.7亿日元,一年内增加了1.7倍。生产厂家由11家增加到16家,目前欧美也纷纷加入了这个系列。从大量资料和报导上看,BUM

简介：关于人造光关于持续光人类从学会使用工具制造火开始,漫漫的文明之路就此打开,当人们不再靠天吃饭的时候,日新月异的火光生活开始源远流长。火不仅可以给人们带来温暖,同时也提供了区别于太阳造就的光亮,有了光明才有了更多的可能。太阳给予了我们自然且天然的光线,火延伸出光与电交织的人造的光线,有了可以自由支配的光影,照明与勾勒美好终于有了充分的现实条件,摄影从此踏着光影的步伐好似离开弓弩的箭,描的百步穿杨,绘的惟妙惟肖。

简介：

简介：本文通过积层多层板在各个电子产品领域、品种中应用的体系图,介绍、分析了当前积层多层板的应用市场现状.

简介：作者汇集国际会议相关外文论文，结合作者在华为等企业的工作实践，撰写此文，供同行参考。本文介绍了PoP（PackageonPackage）叠层封装的基本结构，SMT工艺模式和SMT组装工艺过程，重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂／锡膏的浸蘸工艺过程，介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求，PoP再流焊温度曲线的设定，对预制PoP~O在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠CtgE3个方面介绍了PoP器件的底部填充效果和工艺。介绍了0．4mm细间距PoP器件的sMT组装工艺过程，及相关工艺参数的设定。介绍了0．4mm穿透模塑通孔（TMV）结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的X线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0．4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。

简介：概述了铜凸块形成用三层箔的特征,制造方法和应用.

简介：本文主要研究了polysiliconBufferedLocos(PBL)叠层腐蚀后PITING的问题.

简介：随着电子封装微型化、多功能化的发展，三维封装已成为封装技术的主要发展方向，叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性，是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层CSP封装过程中容易产生圆片翘曲、金线键合过程中容易出现0BOP不良、以及线孤（wireloop）的CPK值达不到工艺要求等问题，文中简要介绍了芯片减薄方法对圆片翘曲的影响，利用有限元（FEA）的方法进行芯片减薄后对悬空功能芯片金线键合（Wirebond）的影响进行分析，FilmonWire（FOW）的贴片（DieAttach）方法在解决悬空功能芯片金线键合中的应用，以及FOW贴片方式对叠层CSP封装流程的简化。采用FOW贴片技术可以达到30％的成本节约，具有很好的经济效益。

简介：Comparedwithaccuratediagnosis,thesystem’sselfdiagnosingcapabilitycanbegreatlyincreasedthroughthet/kdiagnosisstrategyatmostkvertexestobemistakenlyidentifiedasfaultyunderthecomparisonmodel,wherekistypicallyasmallnumber.BasedonthePreparata,Metze,andChien(PMC)model,then-dimensionalhypercubenetworkisprovedtobet/kdiagnosable.Inthispaper,basedontheMaengandMalek(MM)?model,anovelt/k-faultdiagnosis(1k4)algorithmofndimensionalhypercube,calledt/k-MM?-DIAG,isproposedtoisolateallfaultyprocessorswithinthesetofnodes,amongwhichthenumberoffault-freenodesidentifiedwronglyasfaultyisatmostk.ThetimecomplexityinouralgorithmisonlyO(2nn2).

简介：AwedgeshapeSiLEDisdesignedandfabricatedwith0.35μmdouble-gratingstandardCMOStechnology.ThedevicestructureisbasedontheN-well-P+junction.TheP+hasawedgeshapeandissurroundedbytheN-well.ThemicrographsofSiLEDs'emittingandlayoutarecaptured.TheI-VcharacteristicandspectraoftheSiLEDaretested.Underroomtemperatureandbackwardbias,itsradiantluminosityis12nWat100mA,andthewavelengthoftheemittingpeakislocatedat764nm.

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：Cupricoxide(CuO)isconsideredtobeapromisingmaterialforphotovoltaicapplications.Inthispaper,p-CuO/n-Sijunctionsolarcellswereobtainedbythermaloxidationofmetalliccopperfilmsdepositedonn-Sisubstratesat400℃for5h.X-raydiffractionpatternsshowthattheas-preparedfilmsareCuOwithmonocliniccrystallinestructure.HalleffectmeasurementresultsshowthatCuOfilmsarep-typeconduction.Adirectband-gapof~1.57eVfortheCuOfilmisdeducedfromUV-VisAbsorbancespectra.SolarcellsofCu/p-CuO/n-Si/AlstructureshowthatitsphotovoltaicbehaviorhasamuchwiderspectrumresponsewidthcomparedwiththatofSisolarcells.Inaddition,thephotocurrentofCuO/n-SijunctionisinvestigatedasafunctionofCuOfilmthickness,anditisfoundthatthecriticalthicknessforCuOonSiisabout250nm.

简介：Average(mean)voterisoneofthecommonestvotingmethodssuitablefordecisionmakinginhighly-availableandlong-missionsapplicationswheretheavailabilityandthespeedofthesystemarecritical.Inthispaper,anewgenerationofaveragevoterbasedonparallelalgorithmsandparallelrandomaccessmachine(PRAM)structureareproposed.Theanalysisshowsthatthisalgorithmisoptimalduetoitsimprovedtimecomplexity,speed-up,andefficiencyandisespeciallyappropriateforapplicationswherethesizeofinputspaceislarge.

简介：随着印制电路板金属化孔孔径的越来越小，印制电路板孔壁电镀铜层空洞对产品合格率和整机使用可靠性的危害就越来越大。本文探讨了印制电路板孔壁电镀铜层空洞的成因，从而有的放矢地采取预防措施来提高印制电路板产品的合格率和整机使用可靠性。

简介：近年来随着电子设备的小型轻量化和高性能化，高密度封装的半导体器件等正在飞速地发展成多针化和窄间距化(见图1)，为此，要求小型轻量化和高密度细线化的印制电路板与此要相适应，方能满足半导体器件高精度封装技术要求。于是在90年代初期，松下电子部品(株)研制和开发出新型的积层式多层板，并实现产量化。并与96年实现全层积层构造(全层IVH构造)的树脂多层印制电板，

简介：中国保护臭氧层活动已开展了十余年,消耗臭氧层物质的生产和消费量都有了大规模的削减.按照国际环境公约的要求,从2010年开始,中国将停止主要消耗臭氧层物质的生产和使用.因此,按年度计划逐步淘汰消耗臭氧层物质的生产和使用,清除干扰淘汰活动的不正常因素,将成为中国保护臭氧层活动的工作重点.

简介：继6月15日完成对克里奥公司的收购之后，柯达图文影像集团（GCG）宣布了新的大亚洲地区（theGreatAsiaRegion，英文简称GAR）管理团队名单。来自克里奥、柯达保丽光（KPG）、柯达万印、柯达Nexpress和柯达文件影像集团（Koda’sDocumentImaginggroup）的精英汇聚于这个新的核心集体。

简介：3．2．4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术，在电镀、喷漆的行业中，早已得到广泛的应用，它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去，并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度，从而有利于涂（镀）覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中，利用射流喷砂加工微孔技术，是近几年发展起来的新工艺。