简介:通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。
简介:MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大,故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强,也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此,在研制过程中,解决了用多个场效应管串、并联组合,形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关;用多个脉冲变压器并联,对大电流开关输出的信号进行放大和成形;用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术,采用稳定的开关器件等技术和工艺,解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管,替代国外氢闸流管部分用途的功能。
简介:中考命题的要求之一是应有利于学校全面实施素质教育,有利于初中教学秩序的稳定,有利于学生掌握知识、发展能力.重庆市99年中考数学试题重视基础,重视教材,同时注重对学生能力的考核,整套试题有如下的特点:1-起点低 第1小题考相反数的概念,学生应该都能作出来.2-坡度缓 毕业考试部分直到最后一题都没有设置明显的障碍,有利于考生正常发挥,可确保有较高的合格率.3-重视教材 不少题都可在教材上找到类似的题或类似的思想,即使是升学部分的压轴题,其第(1)问也是直接证明切割线定理,有利于引导学校教学中重视教材,重视基础.4-重视能力 升学部分的最后一题中作公切线,利用圆内成比例的线段与相似三角形中的比例关系
简介:科学的生命全在于应用.数学源于实践又指导实践.作为科学技术基础和作为信息产业的生产力的数学将在知识经济社会发挥比以往任何时候都更重大的作用.因而数学意识和数学能力是每个公民所必需具备的意识和能力,它是知识创新和技术创新的基础、工具.河北省1999年初中毕业升学数学试题最重要的特征是:充分重视应用数学于实践的能力的考查.如:三题考查了阅读理解能力,给出了两组数据,根据计算平均数、方差作出哪台机床产品更合要求,这种依据统计计算结果对实际问题作出正确的科学的预测和决断是个很好的导向.五题是构建在工程问题框架上的河堤加固问题,通过阅读得出加固的堤长、进度、质量、时间等有关概念及相关数据,列出分式方程再
简介:针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。