简介：高效地利用单个说明的性能为录像编码的多重数据(SIMD)体系结构，有power-of-two存储器模块的并联存储器体系结构被建议。扭曲计划在水平、垂直的方向提供没有冲突的存取给邻近的元素(８位和16位数据类型)或与power-of-two间隔采用二篇小说，它不在以前的并联存储器体系结构是可能的。区域消费和延期评价与4，8和16个记忆模块分别地被给。在一种0.18-μm互补金属氧化物半导体技术下面，当读了并且写潜伏时，合成结果证明建议系统能以19k门的成本与16个记忆模块完成230MHz钟频率分别地是3和2个钟周期。我们在一个录像信号处理器(VSP)上实现建议并联存储器体系结构。VSP与建议建筑学提高了的结果表演为H.264完成1.28×加速即时译码。

简介：我们在场为电可擦可编程只读存储器记忆的一个新感觉放大器电路。感觉放大器的拓扑学使用察觉到方法的电压，有象高可靠性一样的低成本和低动力消耗量。感觉放大器在与嵌入的电可擦可编程只读存储器处理的一个SMIC0.35-μm2P3M互补金属氧化物半导体认识到的一个电可擦可编程只读存储器被实现。在电力供应是3.3V的条件下面，模拟结果证明费用时间是在建议感觉放大器的35ns，并且最大值在read时期期间平均当前的消费，这是40μA。新奇拓扑学允许电路与象1.4V一样低的电力供应工作。感觉放大器为RFID标签IC应用在2-kb电可擦可编程只读存储器记忆被实现了，并且有240仅仅μm2的一个硅区域。

简介：Weevaluatetheinfluenceofthethermallyassistedtunneling(TAT)mechanismonchargetrappingmemory(CTM)cellperformancebynumericalsimulation,andcomprehensivelyanalysetheeffectsofthetemperature,trapdepth,distributionoftrappedcharge,gatevoltageandparametersofTATonerasing/programmingspeedandretentionperformance.TATisanindispensablemechanisminCTMthatcanincreasethedetrappingprobabilityoftrappedcharge.OurresultsrevealthattheTATeffectcausesthesensitivityofcellperformancetotemperatureanditcouldaffecttheoperationalspeed,especiallyfortheerasingoperation.TheresultsshowthattheretentionperformancedegradescomparedwithwhentheTATmechanismisignored.

简介：

简介：RFpoweramplifiers(PAs)areusuallyconsideredasmemorylessdevicesinmostexistingpredistortiontechniques.Nevertheless,inwidebandcommunicationsystems,PAmemoryeffectscannolongerbeignoredandmemorylesspredistortioncannotlinearizePAseffectively.AfteranalyzingPAmemoryeffects,anovelpredistortionmethodbasedonwaveletnetworks(WNs)isproposedtolinearizewidebandRFpoweramplifiers.Acomplexwaveletnetworkwithtappeddelaylinesisappliedtoconstructthepredistorterandthenacomplexbackpropagationalgorithmisdevelopedtotrainthepredistorterparameters.Thesimulationresultsshowthatcomparedwiththepreviouslypublishedfeed-forwardneuralnetworkpredistortionmethod,theproposedmethodprovidesfasterconvergencerateandbetterperformanceinreducingout-of-bandspectralregrowth.

简介：我们从四波浪的混合在二模式的轻地的量关联上探索原子记忆的效果。在配置的一个三水平的原子系统被考虑，在哪个原子松驰时间比洞松驰乘并且这样在那里存在的比得上或长原子存储器。没有原子变量的断热的消除，在产量的量关联光谱被计算。连续可变纠纷被提高在上，这被显示出大量在中间、坏的洞盒子中的规范的detuning与好洞盒子相比。处于一些状况，更多的重要改进发生在边带。

简介：做Si的Ge(2)sb(2)Te(5)电影被dc劈啪作响magnetronco与Ge2Sb2Te5和Si目标准备了。在在两结晶化温度和阶段转变温度fromface-centred-cubic(fcc)的增加的Te(5)电影结果分阶段执行到的Ge(2)sb(2)的Si的增加六角形(十六进制)阶段。Ge2Sb2Te5电影的抵抗力显示出重要增加，Si做。当在这部电影做Si的11.8at.%时，在退火的460度C以后的抵抗力与undopedGe2Sb2Te5电影相比从64～99终止从1～11m终止(.)厘米和动态抵抗增加增加。这对写阶段变化随机存取记忆的当前的减小很有用。

简介：

简介：Si16Sb84-based线房间阶段变化随机存取记忆(PCRAM)，在哪个Si16Sb84阶段变化线被听电极与nanoscale差距联系，被为重设操作的最低当前、测量的脉搏宽度是的电子横梁平版印刷术制作115μA和18ns，分别地为再结晶的测量最短的脉搏宽度是110ns，与1.5V的应用脉搏振幅。为有不同的线长度的线房间的集合和重设电流是坚定的。106的耐力与上面的电阻比率骑车800被完成了。

简介：

简介：在1935，迪拉克证实在de保姆空格而是两个精力动量操作员也不他们的保守法律的物理波浪方程被给。在它在在那里的de保姆组被证明那的这篇文章是对海森堡组和组们是的这的生成器同形的一个亚群组遵守一条保守法律的精力动量操作符。