简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:本文提出了一种混合方案的Alamouti编码和垂直分层空时码(V-BLAST)和迫零(ZF)接收机,可以实现不等错误保护(UEP)在分层资源的重要性的差异传导。我们分析了空间分集和复用的数学方式之间的权衡,并证明了交叉点的单调性。基于此方案,我们采用V-BLAST为增强层提供高数据率(EL)的比特流,并采用Alamouti编码为基本层(BL)码流高可靠性保证。同时,为了提高分层源的多输入多输出(MIMO)下的传输可靠性和有限的带宽和总公司的电力系统,并提高带宽效率,我们采取的功率分配,该方案考虑。仿真结果表明,混合方案的平均1.9分贝和1.3分贝增益视频峰值信噪比(PSNR),与单纯的空间分集和空间复用方案相比纯,分别。
简介:在后华威时代,民族品牌塑封料企业群龙无首,中国半导体行业呼唤并需要一个真正意义上有创新精神、改革精神及开拓精神的中资塑封料新龙头领军企业!一家民营企业仅用几年的时间,从无做到了中国电工环氧塑料领域行业第一,并拥有90%的市场份额;用10年的时间从无做到了中国换向器用高端酚醛塑封料市场销售量第一。张俊坦言:"目前中国整个高端芯片塑封料主要由日本人一统天下,高端的原材料也由日本人掌控;创达希望在电工环氧及酚醛模塑料行业成功的案例,能在芯片塑封料领域成功复制!""创达电子——三家中资芯片塑封料品牌企业之一,作为中国民营塑封料龙头企业,希望通过自身的努力,甚至是下一代的努力,通过行业的共同努力,特别是芯装企业的支持与帮助,能够赶超日本。这是我二次创业的梦想!"无锡创达电子有限公司董事长、总经理张俊先生如是说。