简介：IDT公司宣布，其不断扩大的多RAM系列又添两个新型双HRAM器件。从工业控制到医疗成像和通信，新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用1．8V内核电压，比现有解决方案的功耗更低。
简介：
IDT推出针对工控、医疗成像和通信等应用的下一代双口RAM
基于多通道的接地网腐蚀检测及二维成像技术在变电站的应用
