简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：介绍了用晶体管超声波发生器替代电子管超声波发生器对超声波清洗设备进行技术改造的经验，实践证明通过这种技术改造既可减少发生器自身的功耗，又可节省维修费用，取得显著的节能效果。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：摘要：核电站数字化仪控系统(简称DCS)是核电站的信息神经和控制中枢,在所有运行模式,包括应急情况下,维持电厂的安全性,可操作性和可靠性,以保证核电站安全,稳定和经济地运行。目前,该装置已成功应用到首个国产化核电站数字化仪控系统的工程应用中,提高了测试覆盖率,准确性和工作效率,保证了核电厂的安全,稳定和经济的运行。

简介：摘要随着科学技术的不断创新和发展，火电厂烟气脱硫脱硝一体化技术得到了有效的发展，同时也成为当下烟气污染治理的重要措施之一，但是部分技术由于水平较低，成本消耗过高，导致很多技术得不到有效的应用，所以，要加大对相关技术的探究力度，解决技术中存在的缺点，为环境治理贡献力量。

简介：摘要随着当前计算机网络技术的迅速发展，计算机网络技术的应用也愈来愈广泛，计算机网络技术给人们的生活生产带来了诸多的便利，但是存在的安全问题也愈来愈突出。本文主要就计算机网络安全问题进行探究，然后结合实际提出相应的安全策略以及管理措施，希望能为保障计算机网络安全起到一定启示作用。

简介：摘要信息化时代，网络技术的发展，人们生活中的衣食住行都与计算机网络有着紧密的联系。因此其中的信息安全也成为我们大众关注的重要焦点，尤其是近年来，一些不法分子利用计算机网络窃取各项数据重要信息等，谋求不正当利益。一次次的警示人们要格外提高自身的计算机网络信息安全意识。加强防火墙技术在网络信息安全中的应用，以达到有效的管控防护阻止措施，实现对计算机网络用户信息的安全保护，构建全面有效信息保护体系。

简介：文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试／打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构，以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题；同时，在生产流程中引入外观检验工位，对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验，很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明，该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点，客户使用后反映良好。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

简介：本文主要介绍了水基清洗技术在彩管成型荫罩黑化前清洗中的应用.介绍了水基清洗技术的清洗原理、工艺特点,以及对水基清洗剂的一般要求及实际使用中的注意事项.

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：一、淘汰消耗臭氧层物质(ODS)客观形势正在按照我国政府与联合国多边基金执委会签定的协议抓紧实施.淘汰计划从2000年开始执行,16家大中型消费企业率先通过招投标方式选择替代技术.

简介：