简介：慕尼黑上海电子展打造中国信息电子产业顶级交流平台，全球芯片厂商第三季产能利用率升至90．1％，全球智能材料市场年增长率8．6％，2010年达123亿美元，小尺寸显示器件市场升温，日本片式电感器产量约占世界总量的65％，2006年中国将成为世界第二大芯片设计中心，受全球市场影响我国集成电路产业增幅放缓，电力电子行业新兴技术“牛”势显现。

简介：英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。

简介：美国半导体产业协会董事会会议计划在北京召开；SEMI预测：封装材料市场销售将达195亿美元；Hicrochlp与BMW签订SmrtShunt技术专利许可协议；赛普拉斯PSoC器件销量突破5000万片；“飞思卡尔半导体”增资扩产项目获批……

简介：ADI推出新款RF/IF放大器，英飞凌、IBH、特许半导体．三墨和飞思卡尔扩展技术合作联盟协议将协作开发和制造32纳米半导体产品，赛米控研讨会相继在北京、上海、深圳完满结束，意法推出新型运动传感器，具有更高“智慧”，

简介：本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。

简介：针对双足步行机器人的控制要求及8路PWM信号的产生机理，研究了10自由度双足步行机器人的联动控制算法，同时进行了延时分析，最后将该算法用于自行设计的10自由度双足步行机器人中。从而成功实现了机器人的直线前进、转弯、上楼梯等动作。

简介：本文主要分成两个部分，第一部分探讨了社会经济的发展对于电力电子技术的需求，第二部分讨论了电力电子技术未来发展的若干方面。

简介：日本东芝公司（Toshiba）日前宣布，一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET，由于采用最新的超结合技术，DTMOS的导通电阻（RDSon）仅相当于传统的MOSFET的40％左右，可降低功耗。在采用这项技术的系列产品中第一个产品是0TK15A60S，它的市场定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：本文推导了SPWM控制下的电流型变流器的有功功率、无功功率和调制比、相位角的关系，设计了一种基于瞬时功率理论的电流型变流器功率闭环控制方法。结合变流器实验样机，对超导储能系统用电流型变流器四象限功率控制方法进行了验证．给出了试验波形。

简介：磁悬浮列车是一种新型的轨道交通运输工具。近十几年来,我国在此领域的研究和各阶段的试验,均取得了很大的进展,而且获得了许多有自主知识产权的技术和应用成果。本文简要地阐述了我国第一辆常导中低速磁悬浮列车上使用的电力电子技术和设备。

简介：美国国家仪器公司（NationalInstruments，简称NI）最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪（也称为基于PC的示波器）可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围，这一具有高动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本，适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试（ultrasonicnondestructivetest，NDT）的许多领域。

简介：

简介：5月14日，从山东省科技厅下达的《2012年度山东省科技成果推广计划》获悉：兖矿集团新风光电子公司高压动态无功补偿装置项目列入2012年山东省科技成果推广计划。

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。