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VDMOS器件一种区域性 IGSS失效的分析及解决

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摘要摘要： IGSS是衡量 VDMOS器件性能的一个重要参数，在生产过程中，有很多因素会影响 IGSS。文中从 VDMOS器件结构及工艺入手，通过电学性能测试分析及 FA失效分析对一种特定区域的 IGSS失效问题进行研究，发现是多晶刻蚀残留导致 IGSS失效，并分析了多晶残留的原因，最终通过加入 SF6，调整多晶刻蚀菜单解决了 IGSS失效。

DOI wjvvv33kj7/4502402

作者马一洁史瑞张杨

机构地区（西安微晶微电子有限公司）陕西省西安市 710000

出处《科学与技术》 2019年9期

关键词 VDMOS IGSS漏电，栅源短路，多晶残留， SF6

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2019年12月06日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）