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《材料科学前沿:英文版》
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GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on AIGaN/GaN heterostructure with recessed gate
GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on AIGaN/GaN heterostructure with recessed gate
(整期优先)网络出版时间:2015-02-12
作者:
Qingpeng WANG;Jin-Ping AO;Pangpang WANG;Ying JIANG;Liuan LI;Kazuya KAWAHARADA;Yang LIU
一般工业技术
>材料科学与工程
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