高纯度半导体碳纳米管制造成功晶体管

(整期优先)网络出版时间:2008-08-18
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日本产业技术综合研究所(产综研)宣布,成功使用高纯度半导体单层碳纳米管(SWCNT)制成了晶体管。晶体管的导通/截止比(导通时与截止时的漏极电流之比)为1×10^5以上,载流子迁移率超过2cm2/Vs。