简介：CRT显示器用为一项技术成熟的产品，与LCD显示器在性价比上的优势使其在专业图像领域的用户内仍有一定数量的用户拥载．而最近开始流传一个新名词——“方管”技术，它号称攻克了传统CRT显示器的多个难题．并被称为是显示器发展历史上的又一次重大革新和突破．甚至有人认为“方管”显示器在显示的精准方面媲美LCD显示器．种种传言莫衷一是。那么到底什么是“方管“技术．“方管”技术到底能给我们带来多大的惊喜，我们从世界第一款采用“方管”的显示器LG的未来窗XP上可以看出一些端倪。

简介：企业对内部实行调峰用电管理,是企业节能技术管理的一种形式。本文分析了它的经济意义及技术实施方法,指出这是我国中小型企业节能降耗的一个新途径,能在不增加资金投入的前提下,仅靠节电技术管理就能创造良好的经济效益。

简介：1.前言制冷技术的应用范围与涉及的温度区域非常广阔,从工农业生产到日常生活,从接近于绝对零度的最低温度到室温或更高.其中,制冷压缩机的需求数量越来越大,制冷技术要求也越来越高.

简介：TechnologyForecasters司将发布其最新的研究报告——“中国电子制造和设计服务：公司的概况和市场影响力。”

简介：1.前言由于近几年来汽车的性能不断提高,采用减少污染环境的新技术,汽车制造工艺的质量管理显得极为重要,与质量管理有关的清洗工艺的重要性也越来越突出.

简介：一种封闭式零件清洗后的干燥方法,以燃气为主要能源的旋转式干燥炉进行脱水干燥,对干燥炉的设计方案、机械结构和自动控制做了详尽的论述.

简介：针对继电接触控制的大功率AC稳压器电磁干扰大,电压调整波形畸变,而且电路结构复杂,本文利用新型过零触发器件组成的大功率交流稳压器,很好地解决了上述问题。

简介：本文通过对造纸废水的来源及主要污染成分的分析,提出如何实现造纸废水,特别是白水的封闭循环和零排放

简介：本文侧重介绍精密零件清洗剂的结构、性能、应用及市场前景问题等.

简介：本文介绍了工业生产中零件清洁度的概念、清洁度检查方法和设备典型案例，重点介绍了颗粒尺寸、数量，以及清洁度检查系统。

简介：

简介：<正>00624LTCC、低温燒成基板埋/A.H.Feingold.M.Heinz(Electro-ScienceLaboratories)//电子材料[日].—2003,5月号别册.—96本文介绍了埋入低温共烧基板(LTCC)内的电感与电容的研究。探讨了含铅和铅化合物对电容器以及LTCC等电子陶瓷产品在性能上所起的重要作用。(孙再吉摘译)

简介：激光清洗技术是近10年来飞速发展的新型清洗技术,它以自身的许多优点在众多领域中逐步取代传统清洗工艺.本文介绍了激光清洗的原理和激光清洗的一些典型应用,展示了激光清洗这一"绿色"清洗技术广阔的发展前景.

简介：电子垃圾已成为世界上增长最快的垃圾.本文从社会和市场两方面分析了我国电子工业所面临的挑战,进而就循环技术特征、要素关系及实现形式进行了分析,提出了加快绿色制度建设则是循环技术开发和实施的必要保证.

简介：1、HSDPA简介对高速移动分组数据业务的支持能力是3G系统最重要的特点之一。WCDMAB99版本可以提供384kbit／s的数据速率，这个速率对于大部分现有的分组业务而言基本够用。然而，对于许多对流量和迟延要求较高的数据业务如视频、流媒体和下载等业务，需要系统提供更高的传输速率和更短的时延。为了更好地发展数据业务，3GPP从这两方面对空中接口作了改进，在R5版本中引入高速下行分组接入（HSDPA）技术。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：

简介：高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。

简介：一、NGN概念与认识NGN是NextGenerationNetwork的缩写，字面意思是下一代网络。当前所谓的下一代网络是一个很松散的概念，不同的领域对下一代网络有不同的看法。一般来说，所谓下一代网络应当是基于“这一代”网络而言，在“这一代”网络基础上有突破性或者革命性进步才能称为下一代网络。

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-