简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题

简介：<正>半导体厂商因应产业复苏,今年都有扩大征才计划,包括日月光、京元电、力晶等业者,今年合计征才人数可达近万人。不单在半导体行业,平板显示器厂商也开始在台湾报纸上广告,招聘新的员工。预计整个半导体和电子行业将为台湾提供10000多个新的工作岗位。

简介：<正>近日中国大陆传出官方将推出集成电路产业扶持政策,每年提供人民币千亿,预计以十年兆元的规模推动包括半导体设计、制造、封装、测试、核心机器设备及材料等关键次产业的发展。就在此时,大陆工信部发布公告,为落实大陆《国家新兴战略产业发展规划》,将成立总规模300亿元的北京市集成电路产业

简介：<正>美商POETTechnologies预言,砷化镓(Galliumarsenide,GaAs)很快就会取代硅,成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(BellLabs)的该公司共同创办人暨首席科学家GeoffTaylor表示,上述论点自1980年代就已经被提出。Taylor指出,相较于硅,砷化镓能在提升电晶体性能的同时,整合光学电路的功能;这些特质能带来更高的性能以及创新的晶片架构,并因此让摩尔定律

简介：<正>2014年3月13日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)积极扩大压力传感器的市场份额,新推出的LPS25H微型压力传感器以其为移动应用优化的独特创新功能赢得一线智能手机厂商的青睐。据IHS研究报告显示,随着消费者对更先进的新款智能手机和平板电脑的需求日益提高,全球消费电子产品压力传感器市场规模将于2017年达到3.75

简介：<正>半导体产业整并(Consolidation)现象将更加明显。半导体晶圆制造商的资本密集度在20纳米(nm)及其以下的制程之后,将呈现更惊人的倍数增长态势,因此能负担如此巨额资本资出(CAPEX)的厂商家数愈来愈少,带动半导体设备商、IC设计业者加速展开购并,以力巩市场势力版图。

简介：<正>中科大日前发布消息,该校熊宇杰教授课题组通过与江俊教授、张群副教授在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的"三位一体化"合作,在光催化复合材料设计方面取得系列新进展,成果发表在国际著名期刊《先进材料》上。每种特定的材料一般都具有某方面独特的性能及优势,材料的复合是突破单一材料性能瓶颈的有效途径。具体到光催化体系,复合材料中不同组成单元可以扮演产生及分离电荷、吸附活化分子等各种重要角色。然而,事实上复合

简介：<正>根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)针对2014年上半年的统计结果,市调公司FutureHorizons执行长兼首席分析师MalcolmPenn决定调高对于2014年全球晶片市场预测至10.7%,相当于达到3,380亿美元的市场规模。MalcolmPenn在今年1月发表的预测数字为8%。当时,他表示2014年全球晶片市场将以4-14%的速度成长。Penn在最近一的会议表示今年第三季和第四季将分别成长8.8%与-1.5%,不过"风险的均衡仍较有利,特别是紧缩先

简介：<正>2014年3月14日-高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司发布一款四输出crystallessTM时钟发生器DSC400。这是麦瑞半导体第一款基于MEMS的时钟产品,它采用麦瑞半导体获得行业认证的PureSiliconTMMEMS技术,提供卓越的防抖和稳定性,同时加入了更多功能。该器件针对广泛的应用,包括通信和网络;1G以太网、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE;存储区域网、FC、SATA、

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：<正>推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)进一步增强用于电机控制应用的产品阵容,推出两款新的方案,用于工业、白家电及消费等各种应用。新的LV8714TA是一款极高能效的双步进电机驱动器,工作电压范围为4V至16.5V。这器件的片上四路半桥通道采用恒流控制,能够独立驱动2个步进电机或4个直流电机。这器件用于单桥臂(leg)同步整流型开关的功率场效

简介：文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵列、芯片减薄和采用金基焊料焊接等。从CQFN热设计考虑,不应在主散热区热沉下采用4J29或4J42焊接垫片,否则会使热阻θJC增大10%以上。