简介：室温下采用对向靶溅射方法制备了[CoTi]30及[CoCu(Ni)]30两组多层膜,并用小角X射线衍射和振动样品磁强计等方法研究多层膜的结构和磁性.发现CoCu(Ni)多层膜中饱和磁化强度Ms随非磁性层厚度ds的增加发生振荡变化;而CoTi多层膜中,Ms随ds的增加而单调减小.当ds>3.0nm时,两组多层膜的饱和磁化强度均趋向稳定.研究表明,Ms随非磁性层厚度ds的不同变化是由多层膜层间耦合效应引起的,用RKKY耦合和超交换耦合竞争机制理论可成功地解释这种实验现象.

简介：由红外线的激光，表面reducibility和Cu-Cr的吸附力照耀建筑群能被改进，由于相片破碎和激光texturing的相互作用。由有约束力的精力系列和钻系列分析了，铬离子的原子价状态和铜离子分别地在放射以后是+3和+1，它仍然有reducibility释放电子。在对比与在红外线附近(NIR)1064nm并且中间红外线(米尔)在15W的一样的平均产量力量的10600nm激光，在Cu-Cr建筑群的减少的金属百分比显然与纳米在深度被区分开来到微米。在化学plating以后，平均涂层厚度和NIR样品的吝啬平方的偏差是11.61m并且0.30为铜层，和2.69m并且0.08为镍层。结果是比米尔样品的那些好一些的。

简介：利用微乳液法制备出ZnS∶Cu纳米微粒.透射电子显微镜(TEM)和动态光散射(DLS)测试结果表明,所得微粒粒径为2～8nm.XRD结果表明,ZnS∶Cu纳米微粒为立方晶型结构,与体材料ZnS的晶型结构一致;在紫外吸收光谱中,ZnS∶Cu纳米微粒吸收峰蓝移.发射光谱表明ZnS∶Cu纳米微粒产生一个位于482nm的绿色发射带.

简介：采用共沉淀法以不同的Mg^2＋、Al^3＋与Cu^2＋摩尔比制备一系列的镁铝铜三元类水滑石（Cu／Mg／Al—HTLc）。并研究了镁铝铜类水滑石的焙烧产（HTLc-500）对阴离子染料茜素黄GG的吸附特征。分别考察了不同镁铝铜摩尔比的HTLc－500、吸附剂投放量、反应温度、染料的初始浓度等因素对HTLc-500吸附阴离子染料茜素黄GG的影响。结果表明，对于合有20mg／L的茜素黄GG模拟废水溶液，镁铝铜摩尔比为8：10：22的类水滑石，投放量为25mg。在25℃下反应360min。去除率可达到99．14％。

简介：以水葫芦为原料制备生物炭,研究了不同生物炭用量、溶液pH、吸附时间及Cu（2＋）初始浓度条件下的吸附特性,并探讨了吸附机理.结果表明,当Cu（2＋）浓度为200mg·L（-1）时,生物炭适宜用量为5g·L（-1）,Cu（2＋）的去除率可达97.2%.溶液pH值在2～7范围内,Cu（2＋）的最佳吸附pH值为5.生物炭对Cu（2＋）的吸附速度较快,在2h内达到平衡,吸附过程符合准二级动力学方程.等温吸附曲线可用Langmuir等温吸附模型拟合,最大吸附量为49.0mg·g-1.水葫芦生物炭对Cu（2＋）的吸附以作用力更强的专性吸附为主,特别是在吸附未达到饱和时,专性吸附比率高达98%以上.水葫芦生物炭对Cu（2＋）具有较强的吸附性能,是一种很有潜力的金属离子吸附剂.

简介：用配体3-吡啶磺酸和Cu（II）盐反应合成了配合物[Cu（psa）2（H2O）2]（1）（Hpsa：3-吡啶磺酸），用单晶X-射线和元素分析对生成的晶体进行了表征。晶体结构研究表明Cu（II）中心采取六配位的扭曲的八面体几何构型，配体psa-的磺酸基仅有一个O原子参与配位，吡啶环的N原子也参与了配位，整个psa-配体作为二齿的桥连结2个Cu（II）离子形成二维层结构，通过O-H…O氢键将二维层结合在一起形成三维结构。研究了1的循环伏安性质。

简介：研究了Cu掺杂对FeZrB非晶软磁合金薄膜的巨磁阻抗(GMI)效应的影响.研究发现,未掺Cu元素的Fe88Zr7B5非晶软磁合金薄膜和掺了4at%过量Cu的(Fe88Zr7B5)0.96Cu0.04非晶合金薄膜均无明显的GMI效应.掺了3at%适量Cu的(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03非晶合金薄膜则具有显著的GMI效应,在13MHz的频率下,最大纵向巨磁阻抗比为17%,最大横向巨磁阻抗比11%.

简介：采用一种计算已知熔点温度Tm的固体化合物Cp一般表达式的方法（温度范围298K-Tm），计算出取向硅钢中晶粒抑制剂Cu1.8S在298～1403K之间的等压摩尔热容随温度变化的表达式为：Cp（T）=76．3681＋5．0017×10～T-11．76×105T-2，为采用热力学方法推导出Cu1.8S在铁素体和奥氏体中的固溶度积公式确定其固溶温度并发挥其作用奠定了一定的理论基础。

简介：采用溶液法合成了一个新颖的离子对化合物[4-BrBz-1-APy]2[Cu（mnt）2]（1）（4-BrBz-1-APy=4-Br-（benzylideneamino）pyridinium，mnt2-=马来二氰基二硫烯），单晶衍射结果表明化合物1属于单斜晶系，空间群为P2，／n，晶体不对称单元含1个[Cu（mnt）2]2-阴离子以及2个[4-BrBz-1-APy]]’阳离子．在[Cu（mnt）2]2-阴离子中，Cu离子呈现平面正方形配位几何构型，两个晶体学不等价的4-BrBz-1·Apy＋阳离子呈近似平面结构．沿晶体b-轴方向，[Cu（rant）2]2-阴离子（A）与4-BrBz-1-Apy＋阳离子（C）以ACCACC的方式交替排列形成混合堆积柱．在化舍物1晶体中，阳离子苯环与阴离子mnt2-配体-CN之间形成了三中心型的非典型氢键．

简介：通过Cu（Ⅱ）和L-脯氨酸的催化，在100℃情况下合成了2-甲基二苯醚，收率比较理想。

简介：通过改变加热温度和保温时间,研究不同热处理工艺对Fe-16Mn-3.5C-3Si-3Cu高锰TWIP合金铸铁组织的影响,对试样进行物相分析和金相组织观察。实验结果表明：随着加热温度和保温时间的增加,组织中退火孪晶的数量增加,孪晶发育趋于完善。热处理后其室温组织为单一奥氏体;热处理的合金铸铁拉伸变形后,产生大量形变孪晶,其变形后的基体仍然保持单一奥氏体组织,未发生马氏体相变,发生了完全的TWIP效应。

简介：用柠檬酸络合法制备了尖晶石型复合氧化物CoAl2O4、CuAl2O4和ZnAl2O4，用XRD、TEM、Fr—IR和UV—Vis等手段对催化剂结构扫性能进行了表征，并考察了其在可见光下降解刚果红的催化性能。结果表明：在可见光条件下。60min内CuAl2O4使刚果红降解率达90％以上。

简介：综述了研究CaCu3Ti4O12材料反常巨介电特性的理论和实用意义.给出了CaCu3Ti4O12结构示意图和X射线衍射(XRD)谱.评述了制备不同维度CaCu3Ti4O12材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法.从内禀和外赋的角度,分析了影响CaCu3Ti4O12巨介电特性的各种可能因素.指出了目前该材料研究需要解决的一些问题.

简介：TheeffectofMnsubstitutionforpartialFeinRFe11Tionstructureandmagneticpropertiesofcompoundswasresearched.RFe7Mn4Tisamples(R=Y,Tb,Dy,Ho,Er)werepreparedbymeansofvacuumarc-meltingandsubsequentvacuumannealing.ThestructureandmagneticpropertiesofRFe7Mn4TicompoundswereinvestigatedbyX-raypowderdiffractionandmagneticmeasurements.Thefollowingconclusionswereobtained:alltheRFe7Mn4TicompoundscrystallizeintheThMn12-typestructure.Thelatticeconstantsandtheunit-cellvolumechangedwiththeincreaseofatomicnumberforR=Y,Th,Dy,Ho,andEr.ThecompensationcharactersappearfortheDyFe7Mn4TiandHoFe7Mn4Ticompounds,andthecompensationtemperatureswereabout123Kand90K,respectively.TheCurietemperature,thesaturationmagnetization,andsaturationmomentofRFe7Mn4Ticompoundsweregiven.

简介：在这个工作，Ti-6Al-4V合金的直角的切实验以不同切的速度(10160m/min)被进行并且喂率(20160m/rev)。工具薄片接触长度被工具耙子脸的轨道测量；同时，局部性、全面的薄片变丑引起的薄片形态学被分割和薄片压缩比率的度分别地描绘。这些参数根据分割的薄片形态学被分析并且计算。另外，三就全面薄片变丑和局部性的变丑而言修改了模型断热砍乐队被建议，并且模型的常数由基因算法优化是计算的。就全面、局部性的芯片变丑而言，工具接触长度的值和变化趋势在这三预言模型与试验性的结果同意了很好。

简介：研究了NiTiNb基形状记忆合金的相变行为,发现含有βNb粒子的合金不会发生R相变,而不含有βNb粒子的合金却能够发生R相变.分析表明,R相变的发生与否与合金中NiTi基体内部的应力场有关.应用修正的Eshelby方法计算了NiTiNb基记忆合金的热失配应力场,结果表明在含有βNb粒子的合金中,NiTi基体应力场呈各向同性,在[111]B2方向没有优先拉应力存在,而热失配应力太小又不能诱发位错的形成,因此在含有βNb粒子的NiTiNb基记忆合金中R相变难以发生.