简介:以“闪光二号”加速器硬X射线为辐照源,对腔体内系统电磁脉冲(systemgeneratedelectromagneticpulse,SGEMP)磁场环境的验证方法进行了研究。根据测量的“闪光二号”二极管的电压、电流,模拟了发射电子束能谱参数;结合辐射靶物理设计,建立了二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了轫致辐射X射线场参数;采用时域有限差分(finitedifferencetimedomainmethod,FDTD)和粒子模拟(particleincell,PIC)方法,模拟了该射线环境中的腔体SGEMP磁场环境;将轫致辐射X射线参数及腔体SGEMP磁场环境的模拟结果与实验结果进行了比较。结果表明:从X射线源参数模拟开始的腔体内SGEMP数值模拟计算模型的实验验证方法是合理可行的。
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:目的:1.比较并改善翼型参数化方法,获得设计变量少、拟合精度高的参数化方法;2.在参数化的基础上利用数值模拟的方法获取翼型流场参数,优化并获得特定条件下升阻比最大的翼型。创新点:1.通过与多项式拟合方法的对比证明了类别/形状函数转换(CST)法在翼型拟合方面的优越性,并通过调整控制点分布,在不增加设计变量的基础上改善了CST方法;2.通过建立响应面模型,利用多岛遗传算法与非线性序列二次规划法相结合的方式获得了更好的翼型优化效果。方法:1.利用修饰后的CST法对翼型进行参数化拟合与设计,并通过与二项式拟合法比较来验证其优越性;2.通过数值方法对翼型周围流场进行计算并与实验结果对比,获得精确计算气动参数的仿真条件;3.通过拉丁超立方采样获得设计变量,建立设计变量与翼型升阻比之间的响应面模型,通过多岛遗传算法与非线性序列二次规划法的结合和优化,得到一定条件下升阻比最大的翼型。结论:1.CST法是一种优秀的参数化方法,本文的优化改善了形状函数控制点选取法则,使其对翼型头部和尾部的描述更加精确;与多项式相比,CST法可以通过更少的设计变量得到更高的拟合精度。2.基于多岛遗传算法的非线性序列二次规划法在本文中用以优化翼型使其具有更高升阻比。优化前后翼型的比较显示,两种优化方法的结合可以得到比单独使用各优化方法更好的结果。