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  • 简介:首先对碳甲烷化的种机理进行了回顾,并对这种机理存在的可能性进了探讨。结果表明,碳甲烷化经过一氧化碳加氢的可能性不大,而经过甲酸根中间体加氢的可能性极大。同时对在一氧化碳与碳共存时,一氧化碳对碳甲烷化的影响进行了动力学分析。更多还原

  • 标签: 二氧化碳 一氧化碳 甲烷化 机理
  • 简介:在教学过程中,教师应与学生积极互动,共同发展,要处理好传授知识与培养能力的关系,注重培养学生的独立性和自主性,引导学生质疑、调查、探究,在实践中学习,促使学生在教师指导下主动地富有个性地学习。教师应尊重学生的人格,关注个体差异,满足不同学生的学习需要,创设课堂情景,突出探究等活动,培养学生的创新意识。

  • 标签: 实验室制法 二氧化碳 培养能力 教学过程 个体差异 创新意识
  • 简介:用低压化学气相沉积法制备TiO2薄膜。研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火温度不同,则薄膜结构亦不同。当退火温度高于85℃时,薄膜为纯金红石薄膜。更多还原

  • 标签: 低压化学气相沉积 二氧化钛 薄膜
  • 简介:主要研究了在TiO2薄膜上光催化降解有机磷废水。结果表明,镀膜基片不同、光催化时间不同、TiO2晶型不同均对降解速率有影响。感兴趣的是可以利用太阳紫外光降解有机磷废水。更多还原

  • 标签: 二氧化钛 薄膜 光催化降解
  • 简介:目的:1.对现有的CO_2重整系统中铁系催化剂进行改进以期获得更高的产率和产物选择性;2.实现反应体系中催化剂的高效回收以延长反应体系的可持续性。创新点:1.开发复合铁、镍、铜催化剂用于水煤气变换反应,获得了更高的产物选择性;2.提高了CO_2重整体系在常压条件下液态烃类的产率。方法:1.由核心沉淀法制得复合铁/氧化铝催化剂;2.在固定床反应器中进行CO_2重整反应。结论:1.干、湿条件下的CO_2重整过程产生相同数量的CO;当温度高于500°C时,CO的产率达到饱和。2.采用镍作为铁催化剂助剂时,CO的选择性从85%降低到76%,但是产物中可检出9%的甲烷。3.采用铜作为铁催化剂助剂时,尽管CO_2的转化率降低了一半,然而CO的选择性提高到了95%。

  • 标签: 铁催化剂 二氧化碳减排 水煤气变换 甲醇合成
  • 简介:利用CO2程序升温脱附测定了三种氧化铝基催化剂上的表面碱性。结果表明,三种催化剂上表面碱性的类型、强度和数目分布不同。活性氧化铝上负载K2O和Pt可大大改变催化剂表面碱性分布。三种催化剂上弱碱性中心的CO2脱附表现活化能分别为25.97,27.92和29.77kJ/mol。弱碱性中心是COS水解催化活性中心,而弱的和较强的碱性中心参与CS2的水解催化反应。更多还原

  • 标签: 羰基硫 二硫化碳 水解 氧化铝 催化 碱性
  • 简介:采用固一液一固(SLS)生长机制,研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火,退火温度为1050℃和1080℃,退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化,分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果,并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

  • 标签: 硅纳米线 常压 SLS生长机制
  • 简介:通过分析浆料分散性和粘度等因素,研究分散剂和粘结剂等对碳化硅晶须浆料流变行为的影响,确定合适的浆料制备工艺参数。结果表明:选择合适剂量的分散剂(2wt%)能够有效减弱晶须之间的吸引力,减少晶须团簇,提高晶须分散性。同时选择3wt%的粘结剂能够得到粘度适宜的浆料。优化工艺参数,最终获得分散性及稳定性较好且适于流延的晶须浆料。

  • 标签: SIC 粘度 分散 流延
  • 简介:通过浸渍法在中γ-Al2O3膜上制备出V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜,将之应用于非燃料电池型催化膜反应器并研究其可行性及正丁烷制顺丁烯酐的反应特性。考察了反应温度、空速和吹好气流速对催化活性的影响,对膜反应器的稳定性也进行了简单的测试。实验证明,与固定床相比,膜反应器具有更高的反应转化率和选择性。

  • 标签: V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜 正丁烷 顺丁烯二酐
  • 简介:基于观电路中电荷的量子化特性和观电容中存在弱耦合效应的物理事实,对观LC电路进行了量子力学处理,并讨论了电路中的类超导电流的量子特性。结果表明:无源情形时观LC电路中类超导电流随时间变化具有周期性,其平均值为零;在直流稳压电源的作用下类超导电流存在直流分量,总电流平均值存在shapiro台阶;在交流电源的作用下类超导电流也可以存在直流分量,但总电流平均值不存在Shapiro台阶。

  • 标签: 介观电路 电容弱耦合能 类超导电流 Shapiro台阶
  • 简介:首次在温和条件下,用在传统微孔沸石合成中常作为导向剂的乙胺或1,6-己胺替代NaOH作催化剂合成出SiO2基中MCM-41分子筛。合成样品用XRD和N2吸附等温线进行表征。实验结果表明,由于这种替代,使相应合成样品及焙烧样品的中骨架结构的有序度明显提高。在XRD图中四个衍射峰清晰可辨,是典型的六方紧密堆积,晶胞参数a0分别为4.11nm和3.75nm,且d100值随所用胺分子中碳链的增长逐渐从3.56nm减少到3.24nm,同时产物孔径由中转变为微孔。更多还原

  • 标签: MCM-41 乙二胺 1 6-己二胺 合成 表征
  • 简介:工件如图1所示,材料为1Crl8Ni9Ti,焊接结构件。加工的主要难点是工件内深且为盲,内底部为球面,几何精度要求高,薄壁,刚性差,容易引起变形。

  • 标签: 几何精度 深孔加工 变形误差 数控车床
  • 简介:中红外激光(3-5μm)在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中,由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次,有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率,因此倍受人们的青睐。

  • 标签: 飞秒激光 中红外 阿秒 截止能量 激光增益介质 高次谐波产生
  • 简介:综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管(supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitterturn-offthyristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dl/R可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管(reverselyswitcTeddynistor,RSD)维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

  • 标签: SIC SGTO SIC ETO SIC RSD
  • 简介:利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

  • 标签: 介电材料 高能电子辐照 电导率 剂量率
  • 简介:采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液,经过静电纺丝及高温煅烧,获得一维氧化铟/氧化铜复合纳米纤维,制成气体传感器,并对其气敏性进行测试及分析。

  • 标签: 静电纺丝 纳米纤维 气敏特性
  • 简介:以Pd/C为催化剂,以NaI为助催剂,以无水乙醇为溶剂,进行了苯胺氧化羰基化反应。研究了苯胺氧化羰基化的最佳工艺条件,解释了碘化钠在本反应中所起的助催作用。在170℃,反应两小时后,Pd/C显示了高活性(97.49%)和高选择性(85.26%)。最后,提出了苯胺氧化羰基化反应的机理。

  • 标签: 苯胺 氨基甲酸酯 羰基化 机理
  • 简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中SiO2和六方中SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中SiO和六方中SiO2是合成中必然出现的两种不同的中物相。与六方中SiO2相比,双中SiO2也具有典型中材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔径分布曲线。由于壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中SiO2较六方中SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原

  • 标签: 双中孔SiO2 六方中孔SiO2 合成 表征
  • 简介:在通常用于合成中MCM-41分子筛的反应体系中,用氨水、NaOH或四乙基氢氧化胺作催化剂,在较低的pH值下合成出具有独特N2吸附等温线和狭窄双峰中分布的双中SiO2材料。实验表明,在所使用的反应体系中,双中SiO2结构是一种必然的物相,且反应体系的pH值调节在合成中起决定性作用。当反应体系的pH值从约9.5增加到11时,相应产物的孔径分布由双中转变为单中分布。这些结果为进一步深入理解中材料的形成机理提供了新的视野。合成样品用XRD和N2吸附等温线进行了表征。更多还原

  • 标签: 双中孔SiO2 氨水 NAOH TEAOH 合成 表征
  • 简介:以PbO,MgO,Nb2O5,TiO2为原料,采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0.92PMN-0.08PT陶瓷,并对其相的组成、微观形貌、电性能和储能性能进行了研究。在25℃,1kHz条件下,该陶瓷的相对介电常数高达27480,电损耗tan艿仅为4%,电滞回线形状细长,剩余极化很小,可释放的能量密度达0.31J·cm-3.结果表明:室温下该陶瓷具有优良的电和储能性能。

  • 标签: PMN—PT陶瓷 介电性能 介电常数 能量密度