简介：本文从分析双T网络虚地输出端着手，借助串／并联等效变换，给出双T网络的电压／电流相量图和阻抗图；引入对称化处理概念；界定了双T网络的实际输入阻抗；建立了完备的阻抗方程组，并做了按指定输入阻抗设计电路的示范。

简介：O484.12003021228溶胶-凝胶TiO2制备透明激光全息薄膜的研究=StudyingofTiO2transparentcoatingbysol-gelwithlaserhologram[刊,中]/倪星元（同济大学波耳固体物理研究所.上海（200092））,邓忠生…//材料科学与工程.—2002,20（2）.—217-219,213采用溶胶-凝胶方法在普通透明塑料基底上制备具有纳米结构的TiO2薄胶,用激光微雕模版将全息图案复合在该薄膜上制成透明激光全息薄膜。选择酸性催化TiO2

简介：O484.12003053763紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究=CharacterisationofDCreactivemagnetronsputteredZnOfilms[刊,中]/杨晓东(西北大学光子学与光子技术研究所.陕西,西安(710069)),张景文…//光子学报.-2002,31(10).-1216-1219采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退

简介：O484.12000031960一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线控制技术=Anonlinecontinuousmoniforingtechniqueofcarbonhermeticcoatingthickness[刊,中]/仇斌(深圳宝兴电线电缆制造有限公司.广东,深圳(518000))//应用光学.—1999,20(3).—40-41为了控制长长度碳涂覆光纤和对光纤碳膜厚度进行在线监控,开发了一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线监控技术。试验结果表明,该技术是行之有效的。图2参4(吴淑珍)TB432000031961阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究=Researchon

简介：O484.12002042861Si基的RICBD法生长GaN薄膜=GaNfilmsgrownbyRICBDonSisubstrates[刊,中]/蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军(武汉大学物理系.湖北,武汉(430072))∥半导体光电.—2001,22(1).—26-30讨论了反应离化团簇束沉积(RICBD)方法的原理

简介：低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。

简介：本文设计一种断相保护电路。当电路工作正常时，发光二极管闪亮；电路缺相时，发光二极管不亮。同时，继电器触点断开，通过接触器切断电路使电机停止运行。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：通过分析气液两相在多孔介质中的相互作用过程，建立了一套描述两相多组分非等温渗流的数学模型。所建立的控制方程中，既包括对流、弥散和源汇作用，也包括非达西流动、水气转变以及辐射传热等高温高压环境下的特殊物理过程。提供了一套完整的使控制方程封闭的本构关系，并推导了比能和比焓的计算公式。利用本文模型对地下爆炸气体的迁移过程进行了数值模拟。结果表明：与气相渗流模型相比，该模型可以更合理地描述气体在地质介质中的输运行为。

简介：采用晶体相场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延层的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延层的生长形貌和界面平均厚度,分析了晶格失配和衬底倾角对外延层的影响。研究表明,在错配度较大时,随着衬底倾角的增大,外延层由层状生长(0°与1°)转变为岛状生长(2°)。

简介：应用晶体相场法研究大角度晶界在外加应力作用下温度对位错运动的影响。研究表明,大角度晶界在应力作用下会发生形状变化;当变形达到临界应变时,晶界褶皱处产生位错并发射进入晶粒内部;温度较低时,晶界处位错形核所需的临界应变更大。在应力作用下大角度晶界通过改变曲率和位错运动产生迁移,温度较高时有利于晶界迁移。

简介：根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用相场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。

简介：苯系物作为一类常见的挥发性有机污染物对人体危害极大，因此研究并建立空气中苯系物的快速检测方法十分必要。固相微萃取（SPME）技术非常适用于快速的污染物定性定量检测，但用于检测空气中苯系物研究较少，有研究表明多种物质在萃取纤维上也存在吸附材料上常见的竞争吸附效应，从而导致常用的标准曲线法定量可能无法反映实际样品的组成。采用多组分苯系物标准气体分析萃取头的吸附情况，考察各种参数对SPME萃取头上存在的竞争吸附行为。

简介：以ＴｉＣ１４为源物质采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率，进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现，在不同气流量、沉积温度为１００～２５０℃的条件下制备的ＴｉＯ２膜，其折射率在２．１６～２．８２范围内，消光系数在０．０４×１０－３～６．７０×１０－３范围内，光学带隙能在２．８～３．０８ｅＶ范围内。在光催化作用下，ＴｉＯ２膜用于处理苯酚溶液，苯酚的转化率高达５４．０５％。关键词##4化学气相沉积（ＣＶＤ）;沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原

简介：在分析中等职业学校以校企合作为基础的现代学徒制存在的问题的基础上，对近年来实施“现代学徒制”办学模式的各个学校所取得的经验和问题进行了相关的调研，提出了确保中等职业学校采取“现代学徒制”办学模式具有可行性应采取的措施。

简介：为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明：生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。

简介：氢水液相交换（LPCE）是从水中分离氢同位素的一种重要方法，是指氢气与液态水之间进行的氢同位素交换反应，可用于含氚重水提氚和升级，含氚废水处理及重水生产等，LPCE反应实现的关键是疏水催化剂的制备。从第一种疏水催化剂制备到现在，已经有超过1000种催化剂。尽管如此，各国研究的重点主要集中在如何提高催化剂疏水性，以延长使用寿命，提高催化活性，而一些常规催化剂更关注的基础问题几乎没有涉及，如Pt粒径大小、价态分布等Pt微观结构与催化剂活性的关系。这些问题的解决对改进催化剂制备工艺，进一步提高催化剂活性有重要作用。

简介：氢水液相催化交换（LPCE）是从水中分离氨同位素的一种重要方法，具体可用于重水提氚、含氚废水处理及重水生产等，疏水催化剂制备是LPCE的关键技术之一。改进催化剂制备方法，提高活性金属分散度，或在Pt中部分掺入其他金属，制备Pt基二元疏水催化剂，均可提高催化剂活性，降低催化剂成本。已证实，Pt中适量掺入Ir，Ti和Cr等金属，可提高疏水催化剂活性，而对Pt-Ru疏水催化剂催化LPCE反应的研究，目前无文献报道。

简介：本文根据《机械制图》的课程特点和职校生的学习特点，结合多年教学实践，浅谈如何通过合理的教学方法和教学技巧来培养学生的学习兴趣，建立空间概念，启发和开拓学生的思维以及促进学生能力的培养。

简介：目的：对柴油机Urea．SCR系统还原剂添加过程进行建模，探讨SCR系统中尿素结晶的主要影响因素，研究排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等对结晶成分、位置和总结晶量的作用规律。创新点：1．考虑喷雾和壁膜内尿素热解过程的差异，分别采用尿素的直接分解和化学反应动力学方法对喷雾和壁膜内的尿素热解过程进行描述；2．提出一维壁膜的概念，将尿素热解的化学反应动力学模型嵌入一维壁膜中，实现对结晶成分、位置和总结晶量的计算。方法：1．采用欧拉方法求解气相流动以及拉格朗同方法跟踪喷雾运动，通过附加源项方式实现气液两相之间的耦合；2．对尿素水溶液喷雾的蒸发、热解、碰壁和结晶等过程进行建模，并对仿真结果进行验证；3．对SCR系统中尿素结晶进行仿真分析，对排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等影响因素进行变参数研究。结论：1．排气温度的降低可以减小壁膜范围以及结晶量；结晶成分与温度密切相关：当温度较低时，结晶以尿素为主，随着温度升高，缩二脲和三聚氰酸开始逐渐形成；2．尿素水溶液喷射速率会影响壁膜范围以及结晶量，但其对结晶成分影响不大；3．排气流量的增大能够促进排气与液滴以及排气管壁之间的传热，从而减小壁膜范围以及结晶量。