简介：为了适应Z-pinch物理实验对新材料的要求，2003年来对导电复合材料进行了初步研制。由于导电聚合物结构的特殊性，导致了导电聚合物机械加工性能很差，聚吡咯是一种具有较好的热、化学氧化和光照稳定性导电聚合物，因此利用有机材料作为基体，吸附吡咯同时进行氧化聚合，可得到性能较好导电复合材料。在导电聚合物的研制过程中，主要涉及基体材料的选择、氧化剂的选择以及反应时间对复合材料的表面电阻的影响。

简介：随着机械装置向结构复杂化发展，常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究，这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性，而且应具有优良的柔韧力学性能，选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子，硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

简介：对镁基复合储氢材料的研究现状进行了系统的阐述,并对镁基储氢材料进行了分类,比较现有制备镁基复合储氢材料的技术手段以及对储氢性能的影响

简介：芳纶纤维复合材料具有高强度、高模量、高冲击强度、纵向负热膨胀系数等特点，其应用范围非常广泛。通过对激光辐照实验回收样品的微观分析，得到在整个激光加载过程中材料的损伤过程和模式。

简介：研究了石墨颗粒对混杂增强铜基复合材料摩擦磨损特性的影响。结果表明,石墨颗粒的加入同时降低了复合材料和配偶件的磨损率,有利于摩擦副系统整体寿命的提高。石墨颗粒赋予了复合材料优良的减摩特性,使滑动摩擦过程更加平稳。混杂增强铜基复合材料磨损表面形成的富石墨的MML层是导致摩擦系数降低和摩擦副系统耐磨性提高的主要原因,而SiC颗粒的承载作用则有利于石墨固体润滑作用的发挥。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：提出LIGA-EDM复合技术技术，即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术，通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100，使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极，利用该电极进行微细电火花加工实验，在不锈钢上加工出异形小孔阵列．

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：根据脉冲裂变中子测量对探测系统中子灵敏度的要求，改变了传统的中子靶室探测系统的设计模式，采取最优设计方案，设计了反冲法和裂变法结合的复合靶室装置，建立了两种测量靶室组合成为靶室主体长度仅为1．1m而且需要静态真空系统的中子复合靶室装置。测量靶室系统由“靶室主体、靶室支管、辐射体和PIN电流型探测器”组成，反冲法使用的辐射体是聚乙烯薄膜(CH2)，裂变法使用的辐射体是^235U辐射体。

简介：高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源，应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点，可浇铸成型，方便加工，还可做成薄膜，而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和砷化镓光导半导体开关（GaAs-PCSS），开展了带状Blumlein线的设计和实验研究。

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9

简介：TB38120050323593mm涂层隐身材料的天线温度模型=Antennatempera-turemodelof3mmcoatingstealthmaterial[刊,中]／缪晨(南京理工大学毫米波、光波近感技术所．江苏,南京(210094)),娄国伟…∥红外与毫米波学报．-2004,23(3)．-221-224根据电磁场理论导出了3mm涂层隐身材料的辐射率,在此基础上建立了涂层隐身材料的辐射计天线温度模

简介：TN252002042759光纤智能结构自诊断、自修复的研究=Researchonself-diagnosisandself-repairingusinghollow-centeropticalfibersinsmartstructure[刊,中]/杨红,梁大开,陶宝祺,邱浩,曹振新(南京航空航天大学测