简介:本文介绍用BEPC的同步光做激发源,对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200)晶体,测得TiKα的能量分辨率达14.2eV,好于质子激发的结果(15eV),能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰,和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。
简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。
简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。
简介:流体包裹体保留了古地质时期流体的原始组成,为矿物形成提供有价值的物理化学信息,对单个流体包裹体的无损成分分析,成为国际地学领域的重大前沿课题。同步辐射X射线荧光(SRXRF)微探针以其在微量和微区分析上的优势为这方面的研究提供有力的工具。我们在北京同步辐射装置(BSRF)的3WIA新束线上,用这种微探针开展了单个流体包裹体无损分析的实验研究。用特制的狭缝系统,从能量为3.5-35kev的同步辐射X射线中得刮10×10μm^2的微束,通过显微对光调整使它入射到选定的大小适当的单个流体包裹体样品上,其所产生的荧光用来确定流体中所含元素的丰度。用NIST612标样,测定了目前实验条件下元素的最小检测限(观测时间为1000秒),检验了这种方法的可行性。在此基础上,对一组典型有机包裹体样品分别单个作无损成分分析,给出了K、Ti、V、Cr、Kh、Fe、Ni、Cu、Zn、Rb、Sr、Y、Zr和Pb等14种元素的半定量测试结果,并说明这些结果可用来研究包裹体所在储层的沉积环境以及包裹体形成时捕获的油气的母源问题。