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  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:道德认知不能仅停留于知识层面。它最终应该内化为学生的一种品质,升华为学生的一种精神,而传统的教学方法使学生获得的道德认识却难以实现这一升华。因此,我们在思想道德教育中必须融入现代教育理念,让学生从自身实际出发,以兴趣为先导,以内需为动力,以实践为载体,积极倡导自主学习、合作学习与探究学习。使学生的主体性得到充分的发挥,让学生在主动思考、写作探索、亲身经历中自主地去发掘,自主地去构建科学的道德认知,为自身思想道德素质的全面提高创设扎实的基础。

  • 标签: 锂资源 聚变堆 世界 中国 DT 评价
  • 简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

  • 标签: n周期多层膜 结构 巨磁电阻 磁控溅射 同步辐射掠入射X射线散射