简介:摘要 :随着机载光电雷达使用频次的增加,光学系统透射率、探测器灵敏度等都会严重下降,其探测距离将会与出厂时的指标产生严重偏差,导致在空战中飞行员无法充分了解光电雷达的有效探测距离,进而很难发挥出光电雷达的最佳探测性能。
简介:采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射(XRD)谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光(PL)和紫外?可见光谱(UV-Vis)分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.
简介:以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025mol·L^-1时,在20℃、2.4V沉积电压下电化学沉积5min,获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917V。XRD结果显示,CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的(110)、(112)晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜(SEM)显示所制样品为50~100nm量子点。
简介:采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法,在导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米棒阵列(ZnONRs)。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电流-电压(I-V)曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试,结果表明:ZnONRs呈纤铅矿型;ZnONRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关,经0.1mol/LKOH刻蚀1h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnONRs;KOH刻蚀后的ZnONRs与未刻蚀前高密度的ZnONRs相比,其光学性能得到提高。0.1mol/LKOH刻蚀1h的ZnONRs作为太阳能电池的光阳极,其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnONRs分别提高了0.71%、2.79mA和0.03V。
简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。
简介:为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40-45nm,Ag层厚度8nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-(-5)Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-(-2)Ω-(-1)。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。