简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响．

简介：据有关媒体报道，总投资2．7亿美元的联相（山东）非晶硅薄膜太阳能电池项目日前在济宁开工建设。该项目正式投产后，年产非晶硅薄膜电池可达70兆瓦。

简介：摘要：以非晶硅薄膜光伏幕墙为对象，通过分析其当前节能计算存在问题，在当前模型基础上提出增加特征参数计算和发电补偿量计算的内容，创新优化形成新模型，并将研究计算的相关参数有机融入到传统建筑节能计算软件中，进行建筑耗能分析及权衡判断，为公共建筑非晶硅薄膜光伏幕墙的节能计算提供必要的技术依据。

简介：摘要近年来，非晶硅薄膜太阳能电池特性问题得到了业内的广泛关注，研究其相关课题有着重要意义。本文首先对相关内容做了概述，分析了提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率的方法，并结合相关实践经验，分别从多个角度与方面就光致衰减问题展开了研究，阐述了个人对此的几点看法与认识，望有助于相关工作的实践。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能，结果表明，在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于非晶一微晶相变域附近，激活能都偏低，存在氧污染问题．给出了氧污染解决途径．

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：本文运用AMPS-1D软件模拟仿真了P型微晶硅窗口层材料对pin型太阳电池性能的影响。结果表明，太阳电池的性能随窗口层材料带隙的变化而变化。当带隙Elx=1．6eV时电池性能最佳，获得了7．309％的高效率。

简介：据悉，由南开大学、天津津能公司等共同投资建设的新型光伏电池——非晶硅和微晶硅叠层电池生产线，目前在天津高新区建成投入生产。并将产品远销海外市场，受到用户欢迎。

简介：2006年伊始，荷兰皇家壳牌的太阳能业务部门退出了晶硅太阳能市场，同意将公司多年经营的太阳能晶硅电池业务全部卖给SolarWorld公司。这一举措标志着SolarWorld公司加快了业务全球化的步伐，该公司正在寻求将其在德国的业务范围扩大至其他有发展前景的国际市场，如美国。这也标志着由于光伏行业原材料的严重短缺，导致了这一重要行业的一次格局性的改变。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：全球领先的薄膜太阳能设备和电池供应商欧瑞康太阳能于2008年11月中旬宣布其新一代“高效非晶硅”技术面市。欧瑞康太阳能在组件性能方面一直占据领先地位，运用先前的非晶硅技术迄今为止已生产出50万多块太阳能组件。这为高速发展的光伏技术提高了经济生存能力，具有重大意义。

简介：摘要：氢化非晶硅薄膜因具有优良的光学特性和物理特性，被广泛应用于太阳能电池、传感器和大面积平板显示等领域。本文采用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）在1.8m×1.5m的基板上制备非晶硅薄膜。通过调整下电极加热温差设置及电极间距（spacing）来改善膜厚分布，优化产品TFT特性。

简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：建议用途：这种方法可以用来制造金属光阻抗蚀或可刻印膜。膜的脊柱结构含有硅、碳和各类金属。这些光阻抗蚀膜有不同的工业应用，例如制造薄膜磁头，内存储存设备，生物检测鉴定，波的导航，光学与平板技术等等。

简介：摘要不锈钢的出现极大地拓展了钢铁材料的应用领域，但全世界每年因摩擦和腐蚀而不能使用的不锈钢件占其产量的15%，损失是相当大的。因此，急需寻求一种提高不锈钢摩擦腐蚀行为的有效途径。非晶碳基薄膜具有高硬度、低摩擦系数、良好的耐磨和耐蚀性能，在不锈钢表面沉积非晶碳基薄膜有望提高不锈钢的耐磨和耐蚀性，因此开展相关研究，具有重要的科学价值和工程意义。

简介：摘要：在当今快速发展的半导体行业中，硅-硅直接键合技术作为一项核心技术，其重要性不容小觑，尤其是在微电子、微机电系统(MEMS)、光电子学以及三维集成器件等前沿领域。随着信息技术的飞速进步，对集成度、性能及成本效益的需求日益增长，促使研究人员不断探索更为高效、可靠的微纳加工技术。硅-硅直接键合作为一种无需中间粘合剂的直接物理连接方法，凭借其形成的高纯度、高强度的共价键界面，在提高器件的集成度、减少寄生效应、增强热稳定性及降低功耗等方面展现出独特优势，成为推动这些领域技术创新的关键驱动力。本文简要研究分析硅-硅晶圆低温直接键合工艺。

简介：通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点（1-3nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。

简介：摘要：本文主要探究硅晶圆切割工艺。研究过程中，以激光隐形切割工艺为例，选择8寸硅晶圆，厚度450µm，99.9%纯硅为试验材料，光纤激光器为试验设备，结果表明激光功率、焦点位置、激光频率、光板重叠率、速度及加工次数均会影响切割效果，需结合实际情况，设置切割参数，从而为相关工作者提供参考。