简介:摘要:硅铝合金因为优异的性能,在电子封装领域的应用越发广泛,但该材料在机械加工过程中存在不少问题,主要有刀具磨损过快、切削效率较低、容易造成崩角、冷却方式及安全防护措施的选择等。本文选取较为典型的Al-50Si高硅铝合金,针对过程主要问题进行分析并采取相应的控制措施,对刀具选择、材料热处理、加工方式及加工参数等方面进行工艺优化,实现产品的加工要求。
简介:摘要:氢气是多晶硅生产中的主要原料之一,水电解制氢设备是多晶硅生产中不可或缺少的关键设备。本文介绍水电解制氢装置的工作原理及多晶硅行业中采取的氢气纯化系统基本工艺流程。对水电解制氢设备相关性能参数及使用特点在多晶硅行业中的优势体现做了简要的的评述和分析。
简介:摘要:本文提出一种新型的去噪算 法,进行了混合噪声去噪实验。用均方误差作为去噪效果的衡量标准,对几种 滤波方式进行了对比,结果表明本文算法对混合噪声的去噪效果要优于其他三 种。电缆缺陷图像分割阶段先通过三种微分算子进行了边缘检测分割,结果表 明此种分割方式的结果无法满足后续的特征提取标准。通过分析缺陷的灰度直 方图,发现缺陷部分与背景间存在显著灰度差异,转而使用三种阈值分割技术 进行实验,结果表明迭代式阈值分割可以有效地将三种缺陷分割出来。然后通 过形态学滤波去除图像中细小的干扰项,使电缆缺陷图像达到了缺陷特征提取 的标准。基于轮廓跟踪法对电缆缺陷进行轮廓追踪,并通过扫描连通域完成缺陷区 域的标记,提取出了缺陷的面积和周长特征。
简介:摘要:本文结合公司内已运用的几种模具表面处理方式,从技术参数、处理原理、技术特点和注意事项等方面进行了优劣势对比总结,强调模具选择最佳的表面处理方式,既可以有效提升冲压件的表面质量,又能够达到最优的成本要求。
简介:摘要:多晶硅是电子及光伏产业广泛使用的重要半导体和光电子材料。西门子现代化方法是多晶硅生产的主要技术,占多晶硅产量的80%以上。在多晶硅生产过程中,三氯硅合成(TCS)、三氯硅、四氯化硅冷氢化(STC)以H2的形式生成不同量的硅。文献表明,氯硅烷含有以STC为主的硅烷、以Si2Cl6为主的硅烷、以Si3Cl8为主的硅烷、少量的硅粉和金属氯化物,其中以Si2Cl6为主的硅含量最高,通过工艺对Si2Cl6进行重组分离气相色谱分析,得出139-142℃沸腾溶液中STC冷氢和TCS计算结果表明,约84.03%的SICL6来自STC冷加氢,其余15.97%的SICL 6来自TCS+H2还原过程。虽然许多学者在分析低多晶硅的组成方面做了大量的工作,但大部分都集中在高附加值的Si2Cl6上,缺乏系统的深入分析。