简介:中央音乐学院萧友梅音乐教育促进会在编纂《萧友梅生平纪年》过程中,发现了萧友梅先生在抗战初期所写的《国立音乐专科学校为适应非常时期之需要拟办集团唱歌指挥养成班及军乐队养成班理由及办法》(下简称“理由及办法”)等一批珍贵历史文献。为此.《中国音乐学》2006年第2期在部分刊载这些文献的同时。配发了一组文章,初步阐发了这一发现对于近现代、当代音乐史研究的意义和价值。特别是戴鹏海教授在他的《事实胜于雄辩》一文中,结合自身的研究实践,对于文献、史料在史学研究中的极端重要性进行了有理有据的论述,文虽不长,但青简意赅,读之感触良多、受益匪浅,从而引发出我对“史实第一性”问题的几点思考。现在把它们写出来,以求教于史学前辈与同行。
简介:利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22eV.其费米面主要由Cu3d和S3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90nm处存在明显的光损失,在80~350nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.
简介:镁元素可以降低铝的本征层错能,因而Al-Mg合金被认为具备孪晶变形的潜力。然而在多种大变形Al-Mg合金中很难发现变形孪晶。为了探究Al-Mg合金的孪晶变形潜能,采用第一性原理计算研究镁和空位对铝广义层错能的影响。研究发现Mg和空位均具有层错Suzuki偏析特性,并且会降低Al的本征层错能。但是随着镁含量的提高,铝的本征层错能不会持续降低,孪晶特性参数τa也不会持续升高。基于Al-Mg合金的孪晶特性参数τa,我们预测即使在高固溶镁含量下,Al-Mg合金依然很难发生孪晶变形。镁和空位所引起的本征层错能的降低在一定程度上能够提高大变形Al-Mg合金的加工硬化速率并且促进变形带的形成。
简介:摘要:当今,随着我国经济的飞速发展,超硬材料在工业发展中扮演着举足轻重的角色,特别是地质钻探行业中超硬材料的研制与应用更显突出。以前钻探界有句话:“有什么样的磨料就有什么样的钻进设备和钻进工艺”,这充分说明了它们的因果关系。金刚石钻头随着人造金刚石的品种、结构、性能、品质等方面不断提高,很大程度上满足了地质钻探行业的需求,并推动了钻探行业的飞速发展;同样钻探应用中提出的新需求,又不断促进超硬行业继续探索。两者相辅相成,互相促进,共同发展。本文结合大量实例阐述了地质钻探行业中使用的超硬产品的特点、种类、性能等。真切地期待未来超硬材料能够更精更新,更多地在钻探产业实现创新突破。
简介:摘要:鉴于第一性原理在商业活动中获得的巨大成功的事实,本文先探讨了传统财务管理分析存在的问题和局限性。在此基础上,提出了将第一性原理运用于企业财务管理活动;介绍了第一性原理在企业财务管理中的运用,重新审视了财务报表分析的方法和框架,以期更深入地理解财务数据背后的含义和逻辑,充分挖掘隐藏在财务数据和业务数据背后的信息,帮助企业更好地评估财务风险、预测未来发展趋势,服务于企业经营战略,最终实现企业的总体战略目标。
简介:摘要石墨烯因其出色的气敏特性成为了近年研究热点。对石墨烯吸附气体后的电学性质研究,是将其应用于气体传感器,半导体仪器等器件的基础。本文结合密度泛函理论对仿真进行指导,通过MaterialStudio仿真软件以及Castep模块对石墨烯进行建模、计算、分析。建立石墨烯吸附一氧化碳分子物理模型,优化模型结构,结合理论与实验经验计算石墨烯吸附气体的电学性能;对比本征、掺杂Al、掺杂N石墨烯对气体分子吸附的影响,并得到吸附模型的稳定结构、能带以及态密度,对其进行分析。计算结果表明本征石墨烯对一氧化碳气体的吸附属于偏弱的物理吸附。对于吸附一氧化碳气体来说Al掺杂石墨烯与吸附气体形成了共价键,吸附类型也变为较强的化学吸附,N掺杂石墨烯适当的增强了吸附效果,但整体吸附能力并没有像Al掺杂石墨烯一样形成稳定的共价键。
简介:【 摘 要 】 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟,硅已经是最广泛应用的一类半导体,在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位,通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性 能,硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟,并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知,缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响,参杂原子可以提供载流子提高其导电特性,而空位等缺陷在禁带中产生深能级,因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响,导致禁带宽度会发生变化,使其导电性能也发生变化。本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理 的第一性原理的研究。利用 Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的 和 晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线,并且绘制出能带图、态密度图、分波态密度图,进一步解释其应力和本征缺陷对硅导电性质机理的影响。从而寻找不依赖掺杂而只利用本征缺陷和应力来调控硅的电学性质的方法。利用应力和 本征缺陷调节硅的禁带宽度改变半导体的性能并通过能带图、分波态密度图、态密度图进行理论分析其机理。 并解释应力和本征缺陷作用下硅晶体宏观现象的微观本原,并为硅工业发展提供理论支持。