简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：基于Lindhard-Robinson模型，利用NPRIM和NJOY程序，模拟计算了4种典型辐照场景下，Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明，DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密，Fe是比较好的耐中子辐照材料。

简介：在建立高斯型重复脉冲激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的二维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在高斯型重复脉冲激光辐照下,损伤阈值受到脉冲数目、宽度、重复频率以及脉冲激光光斑半径的影响,InSb(PV)型探测器会发生熔融损伤,发生于迎光面的光斑中心.对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值时重复脉冲激光的辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器的激光对抗能力,应该减小胶层厚度.

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：输血相关性移植物抗宿主病是临床输血中的并发症之一,通过射线辐照灭活全血及成分血制品中的淋巴细胞是预防输血相关性移植物抗宿主病的有效手段。在辐照中应用血液辐照指示卡可有效保证辐射剂量,进而提高输血安全性。目前血液辐照指示卡在发达国家已基本普及,而在我国尚处于推广阶段。本文就血液辐照指示卡在血液辐照中的作用原理、国内外应用情况及推广意义作一综述。

简介：材料处于辐照条件下会产生缺陷，这些微观缺陷积累会在宏观上有所体现。本文选用不同能量的原子向bcc-Fe表面进行碰撞，会产生位移级联现象。本文利用基于LAMMPS程序的分子动力学模拟方法，研究不同能量的初级碰撞原子对bcc-Fe缺陷数量的影响。结果表明，辐照损伤会对材料产生一定的缺陷；本文主要研究了在辐照损伤过程中，初级碰撞原子能量分别为700ev、1Kev、2Kev对材料缺陷数量的影响。初级碰撞原子能量对最大缺陷数目产生了一定的影响，当初级碰撞原子能量为700ev时，最大缺陷数目（间隙原子数目=空位数目）为45个；初级碰撞原子能量为1Kev时，最大缺陷数目（间隙原子数目=空位数目）为75个；当初级碰撞原子能量为2Kev时，最大缺陷数目（间隙原子数目=空位数目）为155个；随着初级碰撞原子能量的增加，缺陷数量随之增加，但初级碰撞原子能量对体系达到稳定状态时的缺陷数目影响不大。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：目的探讨安多霖对微波辐照致大鼠脑神经元尼氏体损伤的预防作用。方法40只二级雄性Wistar大鼠随机分为5组：正常对照组、辐照对照组、0.75g/（kg.d）组、1.5g/（kg.d）组及3g/（kg.d）组。给药组每日1次灌胃给予安多霖溶液,连续给药2w。给药结束后采用30mW/cm2微波辐照大鼠,辐射时间为15min。于停药（辐照）后6h、7d和14d取大鼠海马和大脑皮层,采用甲苯胺蓝染色和图像分析技术,定量研究神经元尼氏体含量的变化。结果微波辐照后6h,大鼠海马和皮层神经元尼氏体含量明显减少（P〈0.01）;辐照后7d,尼氏体含量基本恢复。0.75g/（kg.d）安多霖预防组上述变化与辐照对照组相似。而1.5g/（kg.d）和3g/（kg.d）预防组在照后尼氏体含量无明显改变。结论30mW/cm2微波辐照可引起大鼠海马和皮层神经元尼氏体含量减少;1.5g/（kg.d）和3g/（kg.d）安多霖对微波辐照致大鼠脑神经元尼氏体含量减少有一定预防作用;其中1.5g/（kg.d）安多霖为预防微波辐照致大鼠脑神经元尼氏体含量减少的有效剂量。

简介：通过对比电子、质子和重离子在作用机理、损伤形态、损伤分布、穿透深度的差异性，确定进行中子辐照模拟的最优选粒子，然后量化分析最优选粒子辐照与中子辐照在材料微区化学成分、微观结构、硬度与IASCC敏感性等方面的差异。

简介：摘要：随着我国科学技术的不断提升，食品检测技术的科技含量也越来越高，目前辐照食品的检测依据成为了我国食品检测领域中的重要内容。为了确保人民群众的食品安全，我国相关部门需要对辐照食品进行严格的检测。本文对辐照食品检测技术进行研究，首先阐述了对辐照食品进行检测的重要性与检测原理，然后对当前常用的辐照食品检测技术进行研究分析得知，当前存在的辐照食品检测技术中，并没有一种技术能够应用于对所有食品的检测，所有检测技术都具有一定的优点与劣势，为此，我国相关科研部门还需要加大对辐照食品检测技术研究的投入力度。

简介：

简介：摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展，介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。

简介：GB/T19001-20007.5.2条款明确规定"当生产和服务提供过程的输出不能由后续的监视或测量加以验证时,组织应对任何这样的过程实施确认。这包括仅在产品使用或服务已交付之后问题才显现的过程。"根据标准的要求,中国辐射防护研究院在质量管理体系的运行中针对不同的产品生产过程进行了分析,从而确认特殊过程并对其进行控制。本文针对辐照加工中的特殊过程予以论述,以探讨有效的特殊过程控制方法。

简介：目前有机气体污染物的净化方法主要存在控制难度大、能耗高、要求气体纯度高等缺点，尚需开发新技术。在挥发性有机化合物中，甲苯是很具代表性的物质，也是被美国ASHRAE推荐为测试气体过滤净化设备性能的模型化合物。国内利用电子束辐照处理甲苯气体的文献很少。文中对甲苯有机废气进行静态实验，初步研究了电子束辐照处理芳香类有机物甲苯的效果，分析了辐照分解产物。

简介：为有效加固秦俑彩绘,选择单体渗透、电子束辐照加固方法进行保护.在最佳辐照加固条件:以2-羟基甲基丙烯酸乙酯为单体,用1MeV2.0mA60kGy电子束辐照可有效地加固秦俑彩绘层.加固后的陶俑表面没有出现光泽,彩绘层颜色鲜艳如初,生漆层、颜料层也再无起翘、脱落现象,干燥、自然.

简介：摘要：目的 患者进行输血治疗时，为了可以避免输血相关性移植物抗宿主病的出现，本文分析辐照血在其中具有的应用价值。方法 针对我院2016年~2020年辐照血液成分在临床中的用血量以及在总用血量中的占比情况，针对最近这些年辐照血液的成分比例变化情况进行对比分析。结果 和前几年相比，最近这3年在总用血量中辐照血液成分占比出现大幅度增加。结论 现阶段随着人们对TA-GVHD的人数不断深入，对于辐照血液成分的重视程度也在不断提高，在此基础上辐照血液成分使用量在临床中也不断增加。

简介：为了研究混响室和GTEM室电磁环境效应的相关性,分别在混响室和GTEM室中用连续波对同一敏感电路进行电磁辐照,测试电路的干扰阈值,统计分析实验数据,绘出混响室和GTEM室中电路干扰阈值的最小值、最大值和平均值随频率的变化曲线。据此,对混响室和GTEM室辐照效应的相关性进行分析,结果表明：混响室中电路干扰阈值最小值和GTEM室中电路干扰阈值最小值变化趋势一致,两者具有较好的相关性,而干扰阈值的最大值相关性较差,干扰阈值平均值的相关性介于最大值和最小值的相关性之间。

简介：

简介：摘要：应用核技术的电子束辐照烟气法，是一种具有经济性并可联合脱硫脱硝的大气污染治理方法。该技术具有反应速度快、占地面积小、脱除率高等优势，较适于处理流量较大的废气污染，并已在成都电厂上应用并积累了经验，实现了工业化应用，仍需解决的问题主要是装置技术问题和成本问题。

简介：摘要：辐照技术是一种新型、绿色、高效的加工技术，已经应用于食品加工、化工、材料等诸多领域。主要介绍了辐照技术原理，阐述了辐照对食品中营养成分的影响，及其在食品加工中的应用，并展望了辐照技术在食品工业中的发展前景。