简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:摘要:随着我国经济的快速发展,社会发展也越来越迅速,其发展都需要电力能够被安全且高效地提供,因此,目前我国的电力系统逐渐成为了一个社会十分关注的话题。为了能够使得电力供应的效率及质量得到提高,确保电力系统能够安全稳定的工作,电力系统高压试验无疑是一项十分关键的工作。当前,我国的电力企业为了能够实现电力系统能够安全、经济、稳定的运行,已经开 展 了电力系统高压试验,以保证其能够满足企业发展的要求。 关键词:高压试验;电力系统;高压;影响