首页 > 《电子与封装》 > 2013年3期 > 基于PDSOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

基于PDSOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

DOI n497g38qjy/1220683

作者徐静;廖聪湘;陈正才

机构地区不详

出处《电子与封装》 2013年3期

关键词 SOI 高压NMOS 工艺

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2013年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1李燕妃;朱少立;吴建伟;徐政;洪根深. 抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究.物理电子学,2019-02.
2郑若成;孙锋;吴金. NMOS器件ESD特性模拟.物理电子学,2008-03.
3胡志勇. 脚短电子元器件的水清洗工艺研究.物理电子学,2004-10.
4李庆宗. 先进电子器件制造工艺与控制技术的研究.建筑设计及理论,2023-08.
5孙龙飞. 电子元器件组装工艺质量的改进方法研究.建筑设计及理论,2018-12.
6李勇. MEMS器件生产工艺中的刻蚀技术研究.工程地质学,2021-04.
7杨诚. 功率器件封装工艺对于器件质量可靠性的影响.,2021-09.
8李勇. 全压接器件台面工艺技术.电路与系统,2003-08.
9林东,杜立峰,王海宁,吕政,吕禛. 基于发动机高压转子平衡工艺分析.建筑技术科学,2021-01.
10杨德明. 铝合金波导器件镀银工艺技术研究.工程地质学,2020-09.

来源期刊

电子与封装

2013年3期

基于PDSOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

来源期刊

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

基于PDSOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

来源期刊

相关推荐

同分类资源 更多

相关关键词

同分类资源更多