简介：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。

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简介：锌闪锌矿InGaN/GaNQW结构的光性质用multiband被调查有效团的理论。在300K的转变波长价值在调查范围从440～570nm在里面作文和井宽度。理论波长与试验性的结果显示出合理同意。光获得与增加的井宽度减少。因为光矩阵元素与井宽度增加，这主要由于在quasi-Fermi-level分离的减小。

简介：采用PECVD技术在1.55μnInGaAsP-InPMQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量.对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV.在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜.

简介：DistributedBraggreflectors(DBRs)areessentialcomponentsforthedevelopmentofoptoelectronicdevices.Inthispaper,wefirstreporttheuseofthenanoporousGaN(NP-GaN)DBRasatemplateforregrowthofInGaN-basedlight-emittingdiodes(LEDs).Thewafer-scaleNP-GaNDBR,whichisfabricatedbyelectrochemicaletchinginaneutralsolution,hasasmoothsurface,highreflectivity(>99.5%),andwidespectralstopbandwidth(>70nm).ThechemicalcompositionoftheregrownLEDthinfilmissimilartothatofthereferenceLED,butthephotoluminescence(PL)lifetime,PLintensity,andelectroluminescenceintensityoftheLEDwiththeDBRareenhancedseveraltimescomparedtothoseofthereferenceLED.TheintensityenhancementisattributedtothelightreflectioneffectoftheNP-GaNDBRandimprovedcrystallinequalityasaresultoftheetchingscheme,whereastheenhancementofPLlifetimeisattributabletothelatter.

简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

简介：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。

简介：Monolithicwhite-light-emittingdiodes（whiteLEDs）withoutphosphorsaredemonstratedusingInGaN/GaNmultiplequantumwells（MQWs）grownonGaNmicroringsformedbyselectiveareaepitaxyonSiO2maskpatterns.Themicroringstructureiscomposedof{1-101}semi-polarfacetsanda（0001）c-plane,attributedtofavorablesurfacepolarityandsurfaceenergy.ThewhitelightisrealizedbycombiningshortandlongwavelengthsofelectroluminescenceemissionsfromInGaN/GaNMQWsonthe{1-101}semi-polarfacetsandthe（0001）c-plane,respectively.ThechangeintheemissionwavelengthsfromeachmicrofacetisduetotheIncompositionvariationsoftheMQWs.Theseresultssuggestthatwhiteemissioncanpossiblybeobtainedwithoutusingphosphorsbycombiningemissionlightfrommicrostructures.

简介：通过传输矩阵法理论研究左手介质对一维光子晶体量子阱(AB)m(CBAABC)n(BA)m透射谱的影响,结果发现:当C层为双正介质时,光量子阱透射谱中出现2n+1条窄透射峰,当C层为左手介质时,呈现简并现象,光量子阱透射峰中仅出现2n-1条窄透射峰;当C层左手介质折射率负值增大时,光量子阱透射谱向禁带中心两侧移动,同时透射峰快速变窄;当C层左手介质光学厚度负值减小时,光量子阱透射谱向禁带中心靠拢,同时透射峰迅速变窄;光量子阱透射变窄对左手介质光学厚度的响应灵敏度高于对折射率负值的响应。左手介质对光量子阱透

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简介：介绍了一种基于VisualC++的量子阱激光器计算机辅助分析工具,采用分层迭代逼近法,提供了单量子阱激光器的计算模型.可以对突变折射率波导进行模式分析,也可以对任意折射率分布的渐变折射率波导进行精确分析.

简介：研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充（PSF）效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光偏振态的主轴瞬态旋转角.计算结果表明,在100pJ飞秒脉冲抽运下该全光开关理论旋转角最大可达60°.

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：将有机材料PBD和Alq3交替生长，制备PBD／Alq3有机多层量子阱结构（OMQWs）。利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定PBD和Alq3最低空分子轨道（LUMO）和最高占据分子轨道（HOMO）。从能带图可看出，类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构。利用小角X射线衍射（XRD）和荧光光谱研究了OMQWs的结构特征和光致发光特性。本文基于四个周期制备了不同势垒层和势阱层厚度的样品。随着势垒层厚度地变化，PBD与Alq3之间的能量转移也有所变化，文中将给与讨论。

简介：在适当选择结构参数基础上,通过传输矩阵法计算模拟光子晶体(AB)m(CD)n(BA)m结构模型的透射谱,当光子晶体(CD)n的三个导带分别处于光子晶体(AB)m(AB)m相邻的三个禁带中时,构成光子晶体三量子阱结构,在光量子阱透射谱的归一化频率1.0(ωa/2πc),2.0(ωa/2πc)和3.0(ωa/2πc)三处周围,分布着三套具有规律的局域共振峰,出现明显的量子化效应,且三套透过峰数目都可以通过光子晶体(CD)n的重复周期数n来调节,这一现象可用于设计可调性多通道滤波器。

简介：ThinheavilyMg-dopedInGaNandGaNcompoundcontactlayerisusedtoformNi/AuOhmiccontacttop-GaN.ThegrowthconditionsofthecompoundcontactlayeranditseffectontheperformanceofNi/AuOhmiccontacttop-GaNareinvestigated.Itisconfirmedthatthespecificcontactresistivitycanbelowerednearlytwoordersbyoptimizingthegrowthconditionsofcompoundcontactlayer.WhentheflowrateratiobetweenMgandGagassourcesofp++-InGaNlayeris10.6%andthethicknessofp++-InGaNlayeris3nm,thelowestspecificcontactresistivityof3.98×10-5?·cm2isachieved.Inaddition,theexperimentalresultsindicatethatthespecificcontactresistivitycanbefurtherloweredto1.07×10-7?·cm2byoptimizingthealloyingannealingtemperatureto520℃.

简介：有机电致发光器件（OLEDs）的研究不断地深入，其亮度、效率、寿命等发光特性也得到了较丸也提高。近些年，Forrest等人提出有机多层量子阱结构（OMQWs）的概念，随后又将其应用到OLEDs中，从而增强了具有这种结构的器件的发光特性。本文从这种结构的分类、结构表征、吸收特性、光致发光及电致发光等特性和应用方面进行讨论，进而总结了有机电致发光主要应用和研究进展，并提出存在的问题及展望。

简介：考虑GaN/AlxGa1-xN有限抛物量子阱（PQW）中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量.结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显.