简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

简介：为实现2×5GW级双路输出超宽谱高功率微波驱动源的小型化,研制了一种初级脉冲功率源——与双筒脉冲形成线(Blumlein线)相配一体化的带有开路磁芯的Tesla变压器.通过对Tesla变压器的理论分析,并根据简化的磁路模型得出了Tesla变压器初、次级线圈电感等电参数的估算方法,给出了Tesla变压器磁芯截面的估算和磁芯制作方法.实验结果表明,Tesla变压器最大输出电压为880kV,充电时间约为20μts,耦合系数约为0.95,与理论值吻合较好.

简介：综述了国内外快放电直线型变压器驱动源（fastlineartransformerdriver,FLTD）闪光照相加速器的研究进展,包括美国圣地亚国家实验室（SandiaNationalLaboratory,SNL）双轴7MVLTD型闪光照相装置、洛斯·阿拉莫斯国家实验室LANSCE装置C区与质子照相装置轴垂直的LTD型闪光照相装置、21级串联LTD-MinorURSA装置及32级串联正负极性可调的LTD装置的概念设计。同时,介绍了法国原子能部CEA/PAM8MVLTD型照相装置IDERIX和英国原子能武器中心为替代Mevex加速器拟研制的空气绝缘LTD的概念设计。最后,介绍了中国工程物理院和西北核技术研究所FLTD相关研究进展,结合西北核技术研究所现有技术条件和需求,提出了开展闪光LTD驱动源的初步设想。

简介：研究了角动量守恒定律的教学问题,研制成功一种新的便携式角动量守恒定律的实验装置,该装置具有制作简单,实验现象清晰直观,重复性好的特点.

简介：近年来,最高能量在250MeV左右的质子辐照装置因在质子治疗、质子辐照效应研究等领域的应用前景而受到广泛关注。清华大学目前正在计划建设一个此类质子辐照装置,其最高能量可达230MeV,一个工作周期至少输出2×10^11个质子,且引出的束流是准连续的。该辐照装置的核心部分是一个能够将质子由7MeV加速到230MeV的同步质子加速器。简要介绍了该同步加速器的关键技术及设计结果,包括为实现高效累积足够流强而使用的剥离注入技术、为提升加速效率而使用的纵向绝热俘获技术以及为实现束流缓慢引出而使用的三阶共振引出技术。

简介：研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源，成像系统与9MeV高能工业CT相同，扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近，其空间分辨率也达到21p／mm（10％的调制度下）。

简介：对基于磁开关Marx发生器的电路结构进行了改造,设计了一种能输出方波脉冲,且结构紧凑、原理简单的电路。对设计的这种输出功率达10GW的近方波Marx发生器进行了模拟研究。结果表明,所设计的脉冲发生器输出脉冲电压接近1MV,前沿约为20ns,半高宽为70ns,发生器全系统无需气体开关。从波形来看,输出脉冲平顶波动小于10%,能够满足实际应用需求。

简介：2013年，传感器领域出现了新的社会动向。世界各国的设备及系统相关企业欲建立每年使用1万亿个传感器的社会“TrillionSensorsUniverse”。通过在各个场所配置规模为目前100倍的传感器，充分利用其信息，将实现不连续的增长。

简介：通过在谐振腔内插入窄带滤光片,开展了XeF（C-A）蓝绿激光窄线宽输出实验研究。研究结果表明,采用该方法,可以获得焦耳量级能量、线宽小于2nm、波长稳定的激光输出,激光最窄线宽为1.3nm。增大滤光片与谐振腔光轴的入射角,激光器输出能量降低。

简介：根据点源、面源和体源探测效率之间的函数关系,建立了虚拟源刻度方法;对于大面积及大体积放射源,可将其探测效率进行分割,利用蒙特卡罗输运程序进行计算,然后利用虚拟点源模拟体源峰效率。模拟中,将虚拟点源发射的放射性粒子准直成锥形发射,以方便计算。该方法解决了蒙特卡罗方法计算大源小探测器的小概率输运问题。采用该方法,用HPGe探测器对实验室放射性133Xe气体样品及航空圆柱状气体烟云探测效率进行了刻度模拟实验,虚拟点源和体源的计算结果一致,证明了该刻度方法正确可靠。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：本文介绍一种加热装置的制作，该装置可代替热敏电阻温度系数测量实验中的加热油槽或水槽。

简介：12MeV直线感应加速器（LIA）能够产生能量约12MeV、束流强度2．2kA的电子束，电子束经过长距离的传输、聚焦后被打击到高原子序数材料的轫致辐射靶（如钽）上，在靶正前方1m处可以产生具有上百伦琴剂量的X光，X光经过准直后可以对物体进行闪光照相。设计了一种X光探测器，利用多层吸收拟合法来对12MeVLIA的X光能谱进行实验测量。

简介：介绍了一种小型的高压纳秒脉冲发生器,该发生器的主要结构单元包括螺旋型多倍宽脉冲形成线和电晕火花开关。其中,螺旋型多倍宽脉冲形成线由Tesla外线和多段螺旋阶梯内线构成,阶梯线置于Tesla内磁芯的内部,结构紧凑;电晕火花开关有利于发生器的重频稳定工作。该发生器整体长度约630mm,形成线采用MIDEL7131合成酯介质,以5倍脉宽形成脉冲时可以输出23ns脉冲,波形前沿快,平顶好,输出脉冲电压约105kV,重频30Hz。

简介：将集成温度传感器（Integrationtemperaturesensor）简称（ITS）应用于声速测量系统。研究了液体中声的传播述度与温度变化的关系，并对水进行了实际测量。实验证明了这一测试系统的实用性和可靠性，为液体声速的进一步研究，提供了理想的实验依据和测量方法。