简介:研究了FeMn/Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜,利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征,得到结果如下:插入Bi之前,在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在,插入Bi之后,FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且,在FeMn/Co界面处Fe,Mn,和Co的元素分布不相同。
简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:采用程序升温氮化的方法制备了钼氮化物催化剂,并用EXAFS方法研究了氮化前后Mo原子的局域配位情况。负载MoO3样品的径向结构函数中有三个峰其中前两个峰对应着最近的Mo-O配位壳层,但是第一个峰与第二个峰的比例比晶体MoO3中的比例大很多,表明分子筛负载的MoO3具有更紧密的结构。氮化以后,Mo2N样品的径向结构函数中有三个峰,对应于一个Mo-N和两个Mo-Mo配位壳层,与面心立方模型符合的很好。根据X射线衍射和EXAFS谱的计算表明,Mo2N中的N原子使Mo-Mo键拉长并削弱。分子筛负载的Mo2N样品具有与非负载Mo2N样品相似的径向结构函数,只是对应于Mo-N壳层的峰较弱,表明负载的MoO3更难氮化。