简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：本文通过对SS9型电力机车LCU二极管烧损原因进行分析，并根据分析结果对直流电力机车有源辅助接地保护电路提出改进建议。

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简介：摘要：半导体光电子器件正呈现高速率、集成化的趋势，本文提出一种新型紧凑型高速光电二极管芯片，传输速率可达到10G/s，相对传统芯片结构，尺寸缩小近1/3，不仅可减小占用器件封装的空间尺寸，利于光器件的封装集成化和便利性，而且使得同一尺寸的外延片，产出更多数量的芯片，从而大大提高芯片的良率和大幅度降低芯片的成本。

简介：摘要：电力系统中的直流电源部分由蓄电池组、充电设备、直流屏等设备组成。直流系统是变电站非常重要的组成部分，它的主要任务就是给继电保护装置、断路器操作、各类信号回路提供电源。直流系统的正常运行与否，关系到继电保护及断路器能否正确动作，会影响变电站乃至整个电网的安全运行。本篇文章分析了XPXN变电站直流系统双电源的原理和运行方式带来的优缺点以及调试过程中发现的隐患，并提出了优化方案。

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

简介：采用激光二极管双侧泵浦横向流连续液体系统，具有很明显的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、激光介质的循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和断裂特性等。首先建立激光振荡的物理模型，分析系统参数对激光输出功率的影响；模拟系统的转换效率与参数之间的关系，检验该系统输出高功率的可能性。

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简介：摘要：建立超高效液相色谱—二极管阵列检测器和荧光检测器串联法，对《水质 多环芳烃的测定 液液萃取和固相萃取高效液相色谱法》(HJ 478-2009)测定进行方法验证。结果表明，各项目线性关系良好，相关系数均大于0.999；方法检出限为 0.06 μg/m3～0.34 μg/m3，测定下限为0.8 μg/m3～3.8 μg/m3，相对偏差为 0.1%～3.6%，加标回收率范围为 59%～96.2%，均满足方法要求。结果确认实验室具备开展测定水中多环芳烃的能力，为提升实验室的环境监测能力提供有力支撑。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：摘要： 肖特基二极管管芯作为一种重要的功率二极管管芯，广泛应用于电力电子线路的整流器和直流转换器中。宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）由于其拥有超大的禁带宽度，高击穿场强，可调的n型掺杂浓度和低成本的单晶生长技术，因而非常适合制作功率肖特基二极管管芯。本文从势垒溅射工艺、势垒形成工艺和粗铝丝键合技术方面设计了高压大功率肖特基二极管管芯。

简介：

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：30多年前由赛米控公司发明的世界上第一颗绝缘功率模块SEMIPACK现已发展到了第6代。对于电流从20A到118A的应用来说，SEMIPACK1沿用了前几代产品的基本设计，但是电流输出能力却提高了10％，同时通过模块内部机械设计的改进，也明显地提高了其可靠性。这些可控硅模块、二极管模块或可控硅／二极管组合模块可以应用于变频器或UPS的输入整流器（单相、三相、不可控、半控或全控），

简介：欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管，该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：摘要：随着我国社会经济的持续发展，各种电器已进入人们的日常生活，因此电源插座用量随之增长，但目前市场上的插座产品质量不一、功能不全，无法满足人们节能控制的需求，比如，电动车电池在充电过程中，为了保护电池避免过充，可以根据需要设计充电时间，待电池充满后自动断电；家中WiFi可以在晚间人们休息时自动断电，早晨自动开启等。根据以上要求，本文设计了一种基于STM32的智能插座，该插座既可根据用户的用电习惯设定断电时间和开启时间，也可以根据充电需要设定充电时长，同时还可以对用电量进行检测，或根据外界条件实现对插座通断电的控制等。

简介：

简介：西门子自动化与驱动集团(A&D)在过程分析仪器的产品目录中增加了新型的LDS6二极管激光气体分析仪。这一新型的分析仪用于需要连续的插入式测量气体浓度的场合，其测量响应时间为1秒。LDS6为一体式设计，易于维护，易于操作，即使在苛刻条件下仍能提供可靠的测量结果。