简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的，多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后，简单介绍我们工艺开发的第一批结果。

简介：本文主要研究了polysiliconBufferedLocos(PBL)叠层腐蚀后PITING的问题.

简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：本文着重介绍了蒸汽加氧吹洗新技术的原理及应用情况.该方法具有创造性、新颖性和实用性.解决了基建炉过热器、再热器的酸洗难题,并能在金属表面形成致密的保护膜,是提高我国吹管技术管理水平,提高水汽品质的一种有效方法.能确保机组在投产后安全、经济地运行,延长锅炉的使用寿命.如在全国范围内大力推广应用,其社会经济效益显著.

简介：据慧聪化工商务网2003年7月11日讯过去20年,人们利用结构可靠性分析(SRA)方法获得的结果,已经制定了腐蚀性油气管道未来安全运行策略。安全运行策略涵盖了对管道最佳复查间隔期的确定、重新检测额度的规定、管子腐蚀速率的降低,以及在需要对某些管

简介：摘要由于全介质自承式光缆（ADSS）在电力通信系统应用中的独特优点，使ADSS光缆在电力通讯系统中得到了广泛的应用，但在使用过程中,由于电力线产生的电磁场和自然环境的作用，ADSS光缆电腐蚀现象普遍存在,严重时会造成光缆外护套破裂甚至断缆，严重影响了电力通信网的安全甚至威胁着电网的安全。本文针对ADSS光缆的电腐蚀，阐述其原理、影响因素等，提出防范措施。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：摘要：核电机组一回路加氢，导致一回路排放至9TEP008BA的废水为含氢废水，机组大修期间会进行氢氧分离，以便一回路开口检修，大修后氢气重新覆盖，此时9TEP头箱也会进行氢气覆盖，如果此时一回路补入大量含氧水会导致9TEP头箱氧含量升高，本文根据实践，对M310机组大修启动后9TEP头箱氧含量升高问题进行了研究。