简介：本文研究了变截面45钢轴状试件静载拉伸过程中表面法向磁场强度Hp（y）值的变化规律。结果表明：在拉伸载荷作用下，变截面应力集中部位的Hp（y）曲线出现突变；随着应力集中程度的加剧，即变截面轴径的减小，Hp（y）曲线在该处的变化幅度明显增大。另外，通过数学方法对应力集中部位仅由应力集中引起的Hp（y）信号进行了提取。研究认为，应力集中部分的Hp（y）曲线有可能不过零。

简介：本文介绍了一种导热性半固化片的制法、主要性能及应用举例。

简介：采用固相烧结方法制备Mg2Ni0.7M0.3(M=Al,Mn,Ti)合金。利用X射线衍射仪、扫描电镜和扫描透射电镜对合金的相组成和显微组织进行系统表征。结果发现,Mg2Ni0.7M0.3合金中形成了具有面心立方结构的金属间化合物Mg3MNi2,其与Mg和Mg2Ni共存;且M原子半径与Mg原子半径越接近,越有利于Mg3MNi2的形成。采用Sievert和Tafel方法对Mg2Ni0.7M0.3合金的储氢性能和耐腐蚀性能进行研究。Mg2Ni0.7M0.3合金的吸/放氢性能得到明显改善。Mg2Ni0.7Al0.3、Mg2Ni0.7Mn0.3和Mg2Ni0.7Ti0.3合金的脱氢反应的激活能较Mg2Ni的激活能明显降低,分别为-46.12、-59.16和-73.15kJ/mol。与Mg2Ni合金相比,Mg2Ni0.7M0.3合金的腐蚀电位向正方向移动,如Mg2Ni0.7Al0.3合金(-0.529V)与Mg2Ni合金(-0.639V)的腐蚀电位差为0.110V,表明添加Al、Mn和Ti能使合金的耐腐蚀性能得到显著提高。

简介：本文主要对松下电工近十几年来所公开发表的相关专利，作以研究、剖析，以深入了解它的高速覆铜板（MEGTRON系列）的PPE树脂组成关键技术的内容、以及技术进步的历程。并对该公司的高速覆铜板用新型树脂开发作了综述与分析.

简介：采用纯Mg、Zn、Ca粉末和纳米羟基磷灰石(nHA)粉末,通过粉末冶金方法制备Mg-5Zn-0.3Ca/nHA生物复合材料,研究不同nHA增强相含量(1%、2.5%和5%,质量分数)对Mg-5Zn-0.3Ca合金腐蚀性能的影响。通过模拟体液浸泡试验和电化学技术测试其耐腐蚀性。结果显示,添加1%和2.5%的nHA提高镁合金的耐腐蚀性,这是因为生物活性nHA促进稳定的磷酸盐和碳酸盐表面沉积层的形成,从而提高纳米复合材料的耐蚀性。然而,在镁合金中添加更高含量的nHA作为增强相时,表面沉积层的密度增加,导致局部腐蚀产生的气体无法及时排出而聚集在沉积层下,减小层与基体的粘着力,导致耐腐蚀性能下降。对镁合金及其纳米复合材料的间接细胞毒性评价表明其浸提液无细胞毒性,添加1%nHA的纳米复合材料的测试结果与阴性对照组几乎相似。

简介：本文对近年日本松下电工公司公开的有关半固化片浸渍加工工艺与设备发明专利的内容加以梳理、综述。并着重介绍了松下电工公司新近（2012年）公开的此方面专利的创新思路、手段，以及发明效果的评价方法、结果。

简介：利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%(质量分数)的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100mA/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773mA·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669mA·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。

简介：采用先水热合成（150°C,12h）、后煅烧（1000°C）来实现（Y0.95Eu0.05）2O3亚微米球形和微米板片红色荧光颗粒的形貌可控合成。通过XRD、FT-IR、FE-SEM和PL等检测手段对样品进行分析。结果表明：将尿素与Y＋Eu的摩尔比由10增大至40～100,得到的前驱体由碱式碳酸盐亚微米球转变为碳酸盐微米片;经1000°C煅烧所得氧化物能够继承前驱体的形貌特征;板片二维形貌的限制内部晶粒自由生长,使更多的（400）晶面暴露在板片颗粒表面;在250nm紫外光的激发下,荧光颗粒的荧光发射峰位及荧光不对称因子[I（5D0→7F2）/I（5D0→7F1）,～11]均与颗粒形貌的相关性不强,但荧光强度呈现明显的形貌依存性;微米板片颗粒的尺寸大,从而其比表面积小,因此具有更高的荧光强度（微米板片在～613nm处的荧光强度为球形颗粒的～1.33倍）。

简介：采用纯Al片表面浸Zn后再电镀厚Cu层的方法制备Cu/Al层状复合材料。在473~673K温度范围内对该复合材料进行退火，研究退火过程中Cu/Al界面扩散与反应、界面金属间化合物(IMCs)层的长大动力学以及Cu/Al层状复合材料电阻率。结果表明，经过473K、360h的退火处理，未观察到Cu.AlIMCs层，显示Zn中间层能有效抑制Cu/Al界面扩散。可是，当复合材料经573K及以上温度退火时，Zn层中的Zn原子主要向Cu中扩散，从Al侧到Cu侧形成CuAl2/CuAl/Cu9Al4三层结构的反应产物。IMC层遵循扩散控制的生长动力学，Cu/Al复合材料的电阻率随退火温度及时间的增加而增大。

简介：废弃电器电子产品的回收是其进入到正规渠道并妥善处理处置的一个重要环节。本文主要通过梳理欧盟、日本、韩国及我国废弃电器电子产品的回收制度,总结出对我国废弃电器电子产品回收制度设计的建议与启示。

简介：研究了通过模压铸造方法制造的氧化铝纤维与碳化硅颗粒混合增强铝基复合材料的干摩擦磨损性能。分别在室温、110℃,以及150℃条件下,进行了恒速0.36m/s（570r/min）的销盘式摩擦磨损实验。采用扫描电子显微镜观察干磨损表面特征,采用Arrhenius作图法研究相对磨损率,以便于进一步研究磨损机制。此外,讨论了纤维的方向性和纤维与颗粒的混合比作用。

简介：销-盘摩擦磨损实验研究表明:TiNi60合金在PAO油润滑下具有优异的摩擦学性能,稳定阶段的平均摩擦系数由干摩擦的0.6降低到油润滑下的0.1,而且非常稳定。从SEM磨损形貌图可知:油润滑下TiNi60合金的磨损表面光滑,粘着磨损明显减弱。在实际研究中,仿真计算是获得高速滚动轴承在油气润滑下各项工作性能数据的有效方法。采用FLUENT数值计算了油-气两相流在水平管子内的流型分布,得到了最佳油、气的进口速度,为高速滚动轴承用TiNi60合金在油气润滑下的使用提供了理论依据。仿真计算结果表明:当空气速度为10m/s和油速度为0.05m/s时,可以得到最佳的环状流型分布。更多还原

简介：本篇围绕着铜箔涨价及'铜箔-覆铜板-印制电路板'产业链出现的供需关系失衡问题,在对2016年召开的铜箔技术·市场研讨会的采访、调查的基础上,作以阐述与前景探究。

简介：本文介绍了美国专利(9,258,892)所披露的Rogers研发的一种低介电常数、低介质损耗PCB基材的制法和主要性能。该基材采用1,2-聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物等作为主体树脂,加入体积百分数大约为5%~70%的硼硅酸盐空心微球,制成印制电路板基材。这种基材样品在10GHz的情况下,Dk小于3.5,Df小于0.006,而且无源互调(PIM)[2]小于-154dBc。

简介：随着电子整机的多功能化、小型化．半导体元器件装配用的基板线条也逐渐趋于微细化。印制电路板一般用的铜箔（以下称为一般铜箔）表面都经过了粗糙化处理．在蚀刻成为线路时．铜箔的粗糙化部分嵌入粘合结构中很难蚀刻干净．所以不适合制作精细线条的印制电路板。为此．日立化成公司研发成功了一种表面不进行粗糙化处理．表面粗糙度在1．5μm以下，表面较平滑适合于制作精细印制电路的铜箔（以下称无粗糙化铜箔）。一般认为．表面平滑的铜箔其抗剥强度较低：但这种新开发的铜箔表面经过了特殊处理．仍然与低轮廓铜箔相当，保持0．7kN／m以上的抗剥强度。采用这种无粗糙化铜箔．以减成法可蚀刻成60μm线宽的精细线路。并顺利地进行无电镀镍／金工艺作业．减少了对镀浓的污染。当前正处于高速度、大容量的信息化时代．使用这种新型铜箔的线路与一般铜箔者相比．同样是传输5GHz的信号，线路的衰减将降低8dB／m。此项技术将对商逮印制电路板基材的研发起到积极作用。

简介：作为新兴的战略性产业，集成电路在今年两会期间受到了极大的关注，并引发了很大的讨论。面对国家的扶持以及各项利好政策，集成电路产业的变革就在眼前，并将进入全新的发展阶段。

简介：

简介：对二元合金快速凝固过程中的局部非平衡扩散模型（LNDM）进行改进。改进的模型考虑了熔体中溶质浓度和溶质通量流场与局部平衡的偏差。采用双曲函数扩散方程求得了熔体中溶质浓度和通量的准确解。结果表明，对任何固-液界面的动力学，当有效扩散系数和在v→vDb发生完全溶质截留KLNDM（v）→1时，凝固过程将由扩散控制转变为完全的热控制。非扩散凝固和完全溶质截留的临界参数为在溶体中的扩散速度vDb，考察了不同界面动力学途径的溶质截留模型。

简介：基于岩石能量交换原理和3种不同卸荷路径下（恒轴压卸围压、加轴压卸围压、轴压围压同时卸载）卸围压（初始围压为10MPa、20MPa、30MPa）试验,研究卸荷条件下岩石轴向吸收应变能、环向扩容消耗应变能、弹性应变能以及耗散能的演化特征与演化速率。研究结果表明,3个方案中,岩石轴向吸收的应变能主要转化为环向扩容消耗应变能,扩容程度为：方案3〉方案1〉方案2,而转化为耗散能较少,只有在临近破坏时耗散能才明显增加。初始围压对轴向应变能、环向扩容消耗应变能及弹性应变能的影响程度明显大于卸载路径,且都随着初始围压的增大呈近似线性增加。卸载路径和初始围压对耗散能有显著的影响。三个方案中应变能的演化速率均随着初始围压的增大而增加,初始围压对应变能演化速率的影响与卸载路径有关。

简介：采用Cu／Ni／Cu扩散偶研究强磁场对Ni—Cu系原子扩散行为的影响。发现该扩散偶在有、无强磁场条件下退火处理时，Ni—Cu系原子互扩散过程中的互扩散系数随着互扩散区内Ni原子摩尔分数的增加而增加，并日．在强磁场条件下退火处理后，所有的互扩散系数均小于相应条件下无磁场处理时的互扩散系数。表明强磁场的施加延迟了Ni—Cu系原子的互扩散行为。分析指出，上述强磁场对原子扩散的延迟行为是通过降低互扩散过程中的频率因子而不是互扩散激活能来实现的。