简介：在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895MHz,1dB带宽40.5MHz,阻带抑制达到47dB,插入损耗3.8dB,通带波纹小于0.9dB。实验与理论分析比较一致。

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：环球仪器将最新推出的新一代表面贴装平台AdVantisX引入亚洲地区。环球仪器旗下拥有不同系列的贴装设备，但性能表现却如出一辙，所提供的解决方案既灵活又准确，能帮助客户以最低的成本来应付千变万化的市场。

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。

简介：Manncorp现提供的自动化统包式生产线包括一台四贴装头取放机，具有高速、灵活和快转等优点。高产量生产线还包括一台线内全自动模板印刷机、一个八温区回流炉和直通传输机，总价低于18万美元。首席执行官HenryMann说：该生产线每小时可贴装1．05万个组件，从而使中产量装配商能够从单源供货商购买整条生产线，既节省成本，又获得了便捷的服务，受益匪浅。该职放机采用康耐视？

简介：前言飞机是高技术高价值产品.清洗飞机时应充分考虑清洗剂对飞机安全性的影响,同时还要考虑清洗剂的综合性能[1].国外许多有关飞机表面清洗剂的材料标准如MIL-C-43616C[2].MlL-C-87936A[3].MIL-C-8557OB[4]等对飞机表面使用的清洗剂规定了严格的技术要求,包括清洗剂的清洗能力、Ph值、对飞机表面金属材料的影响(全浸腐蚀,缝隙腐蚀、氢脆等)、对飞机表面非金属材料(油漆层、胶粘剂、有机玻璃等)的影响、稳定性(硬水稳定性、低温稳定性、加速贮存稳定性)等多项技术指标.

简介：

简介：表面活性剂能改变溶液的表面张力，提高溶液的洗净能力。本文从表面活性剂的基本概念出发，分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力，进而由表面活性剂的基本特性出发，介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向，以及表面活性剂的分类等概念，并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素：表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力，及表面活性剂的化学结构与洗净力。根据寻找替代ODS清洗剂的原则，提出适用的表面活性剂的条件，应用cmc、HLB分析。经研究和开发，在全水基清洗、半水基清洗中，采用非离子表面活性剂较为合适，它能更好地发挥表面活性剂的作用。文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进。

简介：磷酸酯两性表面活性剂是一种新型的两性表面活性剂,它具有多功能的特点.在清洗剂的配方中它既可以发挥表面活性剂的作用又可以发挥水溶助长剂的作用.文章对商品牌号为PhosphotericT-C6的磷酸酯两性表面活性剂的性能做了全面介绍,它在做主表面活性剂时有优异的去垢性能,在与其它表面活性剂混合使用时能提高去污效果,它还具有易冲洗的特点,它有良好的相容性和化学稳定性,所以可用在含有过氧化物或过酸等强氧化剂、强酸或强碱的清洗剂配方中,适合用于对多种基材的清洗.为介绍它优异的水溶助长性能,文章对水溶助长剂及其机理进行了介绍.文章还列举了PhosphotericT-C6各种应用的具体配方.

简介：在本文中，我们提出了一个稳定的单光子探测方法基于硅雪崩光电二极管（硅雪崩二极管）在盖革模式具有较大的温度变化范围内操作。通过精确的温度传感和直流（DC）电压补偿，单光子探测器可以稳定工作在盖革模式from-40°C至35C°具有几乎恒定的雪崩增益。它为单光子探测在全天候条件下的户外作业提供了一种解决方案。

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：由于两性表面活性剂具有温和性、去污性以及能够调节体系黏度的特性,所以此类表面活性剂被广泛应用于个人护理品中。而两性表面活性剂具有温和、高润湿、低发泡和在碱性或酸性条件下稳定的特性,以及良好的亲水性和偶合能力,这使得两性表面活性剂在配方中能够使体系呈现更加优良的性能,所以在家用以及工业或公共设

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。