简介:摘要:多晶硅是电子及光伏产业广泛使用的重要半导体和光电子材料。西门子现代化方法是多晶硅生产的主要技术,占多晶硅产量的80%以上。在多晶硅生产过程中,三氯硅合成(TCS)、三氯硅、四氯化硅冷氢化(STC)以H2的形式生成不同量的硅。文献表明,氯硅烷含有以STC为主的硅烷、以Si2Cl6为主的硅烷、以Si3Cl8为主的硅烷、少量的硅粉和金属氯化物,其中以Si2Cl6为主的硅含量最高,通过工艺对Si2Cl6进行重组分离气相色谱分析,得出139-142℃沸腾溶液中STC冷氢和TCS计算结果表明,约84.03%的SICL6来自STC冷加氢,其余15.97%的SICL 6来自TCS+H2还原过程。虽然许多学者在分析低多晶硅的组成方面做了大量的工作,但大部分都集中在高附加值的Si2Cl6上,缺乏系统的深入分析。
简介:摘要:硅基复合材料在现代工业中扮演着关键角色,特别是在电子器件和清洁能源领域。其生产过程中的精炼技术的进步,对于最终产品质量、经济效益以及生产效能起着决定性作用。精炼技术的成熟度被视作衡量多晶硅制造技术水准的直观标志。通过精细的精炼工艺,杂质的有效剔除能显著提升多晶硅的纯度,这对于提升其在半导体元件和太阳能电池中的表现至关重要。高纯度的多晶硅确保了产品性能的优越性和稳定性,能满足各行业对材料纯净度的严格标准。因此,强化精炼工艺技术的研发与应用显得尤为关键。在实践中,我们需要不断寻求创新,引入前沿科技和设备,推动生产流程的自动化和智能化升级。这样不仅能进一步提高多晶硅的品质,还能降低生产成本并提升整体生产效率,从而在激烈的市场竞争中占据优势。
简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。