简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。

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简介：飞兆半导体公司推出一款USB2，0开关——FSUSB30，在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中，能够最大程度地节省线路板空间，并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小（1．4mm×1．8mm×0．55mm）的UMLP封装中集成了业界领先的带宽（〉720MHz）、低导通电容（6pF）以及最高的ESD保护（8kV）功能，从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。FSUSB30甚至在最小尺寸的终端应用产品中也能节省空间。

简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

简介：从开始的小批量、多品种原型机试制加工，到以后的中批量、多品种的定型生产，这是研究所需要完成的灵活性的贴片生产过程。产品转换中的停机时间是影响整个生产成本的重要因素，所以，缩短产品转换的准备时间，换料时间，上机编程时间等，对降低实际生产成本起着决定的作用。

简介：Thestudyofcycliccodesoverringshasgeneratedalotofpublicinterest.Inthispaper,westudycycliccodesandtheirdualcodesovertheringZP2oflengthpe,andfindasetofgeneratorsforthesecodes.Theranksandminimalgeneratorsetsofthesecodesarestudiedaswell,whichplayanimportantroleindecodinganddeterminingthedistancedistributionofcodes.

简介：<正>美国安可科技(AmkorTechnology)与美国德州仪器(TI)宣布,共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装,并已开始生产。据称,使用铜柱凸点比原来利用焊料凸点可缩小凸点间距,因而可应对伴随芯片微细化而产生的I/O密度增加问题。另外,通过优化铜柱凸点的配置,与普通的面积阵列型倒装芯片封装相比,可削减封装底板的层数,因而还能降低

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简介：竞争情报市场概述近几年以来,随着市场竞争的加剧和信息传播与获取技术的飞速进步,企业经过近几年的信息化应用普及,竞争情报和竞争情报系统开始频繁地出现在企业运营和管理的议事日程当中.从表面上去理解的话,可以认为是社会信息化向深度和广度延展的大趋势所致,甚至可以用潮流来形容.企业和各类竞争性组织已经深切地体会到了竞争情报的重要性,迫切地要求在企业或组织中导入或者开展竞争情报工作.这些事实表明,社会化的竞争情报需求正在高涨,为了满足企业和组织的各种竞争情报需求,就要求市场能够提供各种各样的竞争情报产品和服务.

简介：碳纳米材料家庭中的两名重要成员——碳纳米管和石墨烯,一直以来仅在实验室出现身影,近日却联手合作,加速相关研究进展,如混合能源储存应用,超电容器等。近日,密歇根科技大学的研究者将这两种纳米材料结合,应对一个难度更大的应用领域:电子器件。具体的一个例子就是,研究者们通过叠加碳纳米管和石墨烯成功制成电子开关。

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简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

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简介：摘要在中英文差异中，最明显也是最基本的一项就是英文的单词是天然分开的，词就是最小的能够独立运用的语言单位。不同于英文的是，中文句子中没有词的界限，同时词不是最小的语言单位。因此在计算语言学的研究中，分词（WordSegmentation）是中文人机自然语言交互中最基础的一项。而不管是在中文分词中或分词后，都存在歧义问题且需要解决。本文更多的从语言学角度来理解并分析歧义问题。

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：全球领先的产品生命周期管理（PLM）软件和服务提供商UGS公司近日宣布，西门子发电集团旗下公司，西门子燃气轮机部件有限公司选择并成功实施了TeamcenterExpress作为其PLM平台。

简介：本文主要针对新疆油田公司采油厂使用的《A2数据采集系统》的开发情况及在生产中的重要指导作用，阐述了通过数据源点采集，建立集信息采集、传输、存储、处理、分析、发布、管理和应用于一体，规范、统一、安全、高效的现代化生产管理信息应用体系。

简介：RamanscatteringspectroscopyisappliedtoinvestigatethephononmodesinGaxIn1-xP(x=0.52)and(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)alloys.Two-modebehaviorinGaxIn1-xPandthree-modebehaviorin(AlxGa1-x)0.51In0.49Pareobserved.InorderedGaxIn1-xP,weclearlydistinguishtheTO1(GaP-like)modeandthesplittingofLO1(GaP-like)andLO2(InP-like)modes,whichisbelievedtobetheresultofsuperlatticeeffectofordering,andtheLO1+LO2mode,whichisobservedforthefirsttime.Inadditiontotheb/aratio,it'sfoundthattherelativeintensityoftheFLAandtheLO1+LO2modesalsocorrespondstothedegreeoforder.TheTO1andthesplittingofLO1andLO2devotetogethertothereductionofthe'valleydepth'.In(AlxGa1-x)0.51In0.49P,thedoublingofFLAisobserved.DuetotheinfluenceofAlcomposition,theGaP-likeLOmodebecomesashoulderoftheInP-likeLOmode.TheunresolvedRamanspectraindicatetheexistenceoforderedstructurein(AlxGa1-x)0.51In0.49Palloys.

简介：<正>"现在,业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分,采用还为时尚早",在与汽车展会"AUTOMOTIVEWORLD2014"同时举办的研讨会上,英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark-

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