简介：本文结合案例,从学生的知识薄弱点、易错点、易混点等出发,设计完整的微主题复习线索,帮助学生通过一个个“小”问题的解决,拓展视野,开阔思维,搭建纵横交错又有机相连的知识框架,培养学生的生物思维能力,提高复习的有效性.

简介：为了正确灵活应用一元等熵恒定气流理论及相关公式,创新性地解决航天、航空、节能环保等领域中的现实问题,对连续方程、运动方程、状态方程、能量守恒方程和动量守恒方程等主要特征方程进行了追溯和梳理,介绍了这些方程的来历、适用条件及有关参数的单位,可为同行借鉴。

简介：为研究结构在动态脉冲载荷下的响应,基于碰撞-液压原理,利用加压气体驱动弹丸撞击液压装置的活塞,活塞压缩液压介质产生单个半正弦波压力脉冲,研制了一套正弦波脉冲载荷发生装置,并对装置进行了加载实验和数值模拟。实验结果表明:该装置可产生压力载荷峰值超过50MPa、脉宽低于100μs的半正弦波脉冲,可用于实验室内进行冲击动力学加载实验。

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：综述了美国圣地亚国家实验室ZR(ZRefurbished)装置的建设背景、结构及最新进展,梳理了自2011年以来在ZR装置上开展的实验研究工作,主要包括辐射效应、惯性约束聚变、极端条件下的材料科学和天体物理学等研究。最后,介绍了美国未来基于直线变压器驱动器技术的快Z箍缩装置发展规划。

简介：对一款CCD进行了3MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

简介：利用MATLAB软件模拟了核裁军核查领域中用于核部件认证的中子计数截断成像方法的处理流程,研究了该方法的有效性和入侵性。通过引入截断矩阵,使该方法具备了通过调节截断参数改变入侵性的能力。数值模拟结果表明,通过限制探测器计数方式,可以在满足认证结果有效的同时,降低主动中子成像技术的入侵性。

简介：简要介绍了超高速碰撞现象及其关键科学问题。综述了航天器空间碎片超高速碰撞防护研究,详细评论了空间碎片防护结构、超高速碰撞下的碎片云模型及撞击极限方程的国内外进展。探讨了小行星撞击地球防御中超高速碰撞问题。展望了超高速碰撞研究及航天应用研究的发展趋势。

简介：基于4阶Runge-Kutta法,介绍了“强光一号”加速器长脉冲状态的电路模型。该模型不仅考虑了电爆炸丝导体断路开关(electronexplosiveopeningswitch,EEOS)金属丝的电阻率随比作用量变化的特性,而且考虑了油间隙和真空二极管间隙击穿过程中等效阻抗的变化特性。仿真结果表明,该模型能够更好地反映EEOS的初始参数对放电回路电流和电压的影响规律,能够为加速器的运行和性能提升提供有力的技术参考。通过仿真计算和理论分析,认为“强光一号”加速器的初级储能系统——直线型变压器(lineartransformerdriver,LTD)经过升级改造后,EEOS的工作电压能够提升大约20%,且获得了EEOS最佳工作状态的参数。

简介：本文通过对2017年全国高考理综（I）卷第21题的若干种解法分析,旨在增强高考复习时分析题目的意识,倡导通过一题多解,发散学生的思维,引导学生去寻求发现巧解、妙解,让学生在比较与讨论中找出最简便的解法和独特的富有新意的解题思路,真正培养学生对多种解题方法的认识.利用一题多解既能让学生复习归纳知识,也能让学生在头脑中建立不同知识之间的联系,完善学生的知识认知结构体系,真正促进学生的综合能力的发展.

简介：对主振荡功率放大(MOPA)结构的光纤激光器,采用空间多点泵浦方法,改变介质中增益的空间分布,能够在保证放大器效率的同时有效抑制光纤中的后向SBS散射光。对百瓦级光纤放大器中信号光、散射光及增益分布进行了数值模拟,分析了散射光放大原因,并将两点泵浦应用于该放大器系统,相同输出功率时,散射光由3.2W降为6.8mW。计算结果表明,多点泵浦技术的引入,能有效抑制光纤放大器中的SBS效应。

简介：通过理论计算和数值模拟方法研究了“闪光二号”加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均匀性的增加,开关电感显著提高。采用保角变换和构造拉格朗日函数的方法证明了当多针水开关所有放电通道电流一致时开关电感最小,得到了“闪光二号”加速器多针水开关电感最小值为27nH,最大值为153nH。

简介：为满足通用蒙特卡罗程序难以处理的特定问题的粒子输运模拟需求，开发了模块化粒子输运蒙特卡罗模拟程序包PHEN。该程序包能够模拟中子、光子、电子及质子与物质相互作用的主要物理过程，具备树结构建模功能、低能带电粒子和反冲质子模拟功能及可定制的数据统计功能。利用PHEN程序包，计算了中子与特定核素作用生成次级光子的产额和平均能量，实现了基于指向概率法的点通量角度谱计算，并建立了中子输运时间特性模拟计算方法。PHEN程序包的基本功能模块可用于粒子输运模拟技术应用研究。

简介：大学物理实验课程对于培养理工科大学生动手能力和理论联系实际的综合能力具有不可替代的作用。针对教学过程中发现的一些问题,借鉴近几年我校成功举办的大学生物理学术竞赛活动的经验,提出了改革大学物理实验课程的方法。强调应注重开放设计性、研究性实验课程的引入,并优化教学模式和课程考核方式。

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：根据流体弹塑性内摩擦侵彻理论,系统地提出了超高速动能武器打击侵深、成坑范围和地冲击效应的计算方法,并通过实验获得了超高速弹体以速度为1000~5000m·s-1侵彻岩石的侵深、成坑范围和地冲击压力波时程曲线实验数据。将理论计算与实验结果进行对比,验证了理论模型和计算公式的准确性。建立了超高速动能武器打击地冲击效应与浅埋爆炸之间的等效计算关系,提出了抗超高速动能武器打击最小安全防护层厚度的计算方法与“软硬结合、分层配置”的遮弹防护技术方案。

简介：利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(ChinaSpallationNeutronSource,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：柔爆索是航天运载器爆炸分离装置的能量来源,分离过程涉及小装药比情况下爆炸驱动外围壳体的飞散问题。一般认为,Gurney公式不适用于计算小装药比情况下壳体的飞散速度。为了分析分离碎片的飞散特性,基于柔爆索爆炸做功的三阶段分析,提出了计算壳体碎片飞散速度的理论方法,并通过与实验结果和数值模拟结果的对比,分析讨论了理论方法的适用性。结果表明,装药质量比是影响柔爆索爆炸驱动壳体碎片飞散速度的主要因素,装药质量比越大,最终碎片飞散速度越大;同时,双层壳体的存在使得碎片驱动初期的两段效应凸显出来,说明提出的分析模型与实际结果比较接近。Gurney公式不适用计算装药比小于0.01的碎片飞散速度。

简介：对基于磁开关Marx发生器的电路结构进行了改造,设计了一种能输出方波脉冲,且结构紧凑、原理简单的电路。对设计的这种输出功率达10GW的近方波Marx发生器进行了模拟研究。结果表明,所设计的脉冲发生器输出脉冲电压接近1MV,前沿约为20ns,半高宽为70ns,发生器全系统无需气体开关。从波形来看,输出脉冲平顶波动小于10%,能够满足实际应用需求。