简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：质谱（MassSpectrometry）是带电原子、分子或分子碎片按质荷比（或质量）的大小顺序排列的图谱。质谱仪是一类能使物质粒子高化成离子并通过适当的电场、磁场将它们按空间位置、时间先后或者轨道稳定与否实现质荷比分离，并检测强度后进行物质分析的仪器。

简介：11月23～25日，先控电气作为获奖单位，受邀参加由振威展览股份和广东省电源行业协会共同主办，中国土木工程学会城市公共交通学会协办，北京物业管理行业协会支持的中国最大充电设备展——第七届北京国际充电站（桩）技术设备展览会，

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：“２０００年中国国际通信设备技术展览会”举办前夕，由中国联合通信有限公司和中国邮电器材总公司共同主办的“中国联通电信一体化解决方案大型报告会”如期举行，中国联通公司常务副总裁王建宙、中国邮电器材总公司副总经理杨学忠以及中国联通分公司和部分制造商代表出席了此次会议。中国联通公司副总裁王建宙首先分析了中国联通的特点和发展趋势。王建宙副总裁说，中国联通是一个新兴的公司，在技术上采用最新的技术；在管理机制上极为灵活，组织结构、员工管理方面均采用与国际接轨的管理办法。更为重要的是，中国联通目前保持高增长的势头，以移动通信为例，去年用户数量仅为５００万户，而现在已超过１５００万户。中国联通是一家综合性电信运营商，是国内唯一一家具有电信全面基本业务运营许可证的公司，这是中国联通最大的优势。但与国内其他运营商相比，联通存在着技术少、规模小的问题。企业的发展看今天更要看明天，纵观全球电信业的发展，技术发展的趋势就是融合的趋势。中国联通很重要的发展战略就是综合发展电信业务，实现一体化服务，这一方面可以在网络建设上节约大量成本，９５％以上用自己的光缆网资源；另一方面可以为用户提供综合性服务，如捆绑服务，全方位、一体化的服务必然会满...

简介：本文通过详细介绍离子感烟火灾探测器的种类和基本工作原理，给出了在电气工程设计中如何选择火灾探测器的建议，对实际工程设计具有一定的参考意义。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：草谷公司的Infinity摄录一体机，配备新型2／3＂XensiumCMOS图像传感器。100mb／s的采集速度和对于多种记录媒体（如CF卡）的开放性,使它非常易融入到电视台的无带化制作流程中。草谷Infinity系列产品，包括创新的DMC摄录一体机、DMR录像机，

简介：对映体干扰是一种在作战飞机上使用的雷达有源角度欺骗干扰方式。针对机载对映体干扰的应用方式,首先分析了机载对映体干扰的基本原理,然后计算了机载对映体干扰的有效作用区域,并且推导了机载对映体干扰实现有效干扰的基本条件,最后通过实验仿真定量地分析了干扰信号入射角、干扰信号波束宽度、干扰信号与雷达间距、干扰信号与雷达波束夹角以及地面反射特性等因素对映体干扰有效作用区域和干扰效果的影响。研究结果可以为机载对映体干扰的使用提供理论参考。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：我们通过仿真实验探讨了温室下的眯唑基离子液体[BMIm]^＋PF6^-＋AlCl3在银（铜面上）沉积中表现出来种种性质,从而为PCB板上沉银打开了另一扇窗口,尽管真正应用还有一段时日,但是我们坚信其在优化PCB板表面定能一展身手!

简介：介绍了体域网（BAN）的应用，分析了体域网（BAN）面临的挑战，预测了体域网（BAN）的市场发展前景。

简介：大洋公司新推出的StudioBox一体化演播室，相当于一个小型的演播室系统，结构简单、高度集成，一套产品便可独立完成传统演播室中节目信号切换、声虚拟布景、流媒体发布等功能。它既可以替代传统的演播室系统进行日常节目制作。也可以作为移动演播室来进行大型活动、文艺晚会、重大会议的现场节目制作和转播，

简介：摘要从当前状况分析，工业自动化、微电子信息化两项技术取得了飞速发展。信息化技术在社会各个行业中的应用，对企业生产效率、劳动收益均有很大的促进作用。工业生产过程中，以测控、通讯技术等为支撑的信息化系统得以初步构建。短时间内，该系统便被广泛用于机械生产以及机电产业等领域，成效较为可观。机电一体化技术的有序发展，无疑推动了整个社会的全面进步。下文将从主要特点、应用实践两个角度，对机电一体化技术予以探讨。

简介：摘要传统的喷药装置不仅时间长效率低，还存在着不小的安全隐患。本文首先分析了传统喷药装置的不足，以此引出新型喷药装置的发明原因。接下来，通过对新型烟雾一体机的各个部分进行逐一进行分析。从整体到部分，将新型喷药装置的优缺点进行了较为彻底的分析。并对其未来的发展提出了改进意见。

简介：分析了情报、监视、侦察（ISR）的基本概念,从传感器运用、信息处理及情报产品生产服务3方面总结了ISR一体化具体内容,提出了ISR一体化体系结构,并对情报产品进行了分类。最后,分析了ISR一体化军事应用中的关键技术,提出了相应技术解决途径设想。

简介：针对HTCC一体化管壳在后道封装中出现的瓷体裂纹、渗胶变色、多余物等失效问题，通过过程应力仿真、材料物理性能测试、失效点检测、工艺对比实验等方法分析原因。并进一步开展了改进验证。对HTCC一体化管壳工程化应用具有借鉴意义。

简介：凌特公司（LinearTechnologyCorporation）推出用于手持应用的高效率、紧凑型电源管理解决方案LTC3552。该器件包括一个独立锂离子／锂聚合物电池充电器和一个高效率双路同步降压型稳压器，采用扁平3mm×5mmDFN封装。该线性电池充电器从墙上适配器电源可提供高达950mA的充电电流，或用USB电源提供高达500mA的充电电流。独立工作简化了设计，无需外部微处理器实现充电终止。最终浮动电压准确度为±1％。

简介：S0nY新款的数字高清数字摄录一体机——HDW-F900R是以前24P多格式数字高清数字摄录一体机HDW-F900的升级型号。

简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领